[發明專利]半導體封裝結構和封裝方法

有效

• 申請號: 202010950254.5
• 申請日: 2020-09-11
• 公開（公告）號: CN111816628B
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發明（設計）人: 何正鴻;鐘磊;李利
• 申請（專利權）人: 甬矽電子（寧波）股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56;H01L23/498;H01L25/07
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 張洋

1.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括基板、第一硅板、第二硅板和電子器件；

所述第一硅板包括相對設置的第一表面和第二表面，所述第二硅板包括相對設置的第三表面和第四表面，所述第一表面與所述基板連接，所述第二硅板的第三表面連接于所述第二表面；所述第二硅板在所述第二表面上的投影面積小于所述第二表面的面積；

所述第一硅板和所述第二硅板之間設有第一緩沖體，所述第一緩沖體的一側與所述第二表面連接，另一側與所述第三表面連接；所述第一硅板和所述基板之間設有第二緩沖體，所述第二緩沖體的材質與所述第一緩沖體的材質相同；

所述第二緩沖體包括相互連接的本體和周壁，所述本體設于所述基板和所述第一表面之間，所述周壁包覆所述第一硅板的四周，且所述周壁的高度不低于所述第一硅板的高度；

所述第一表面設有第一線路層，所述第二表面設有第二線路層，所述第三表面設有第三線路層，所述第四表面設有第四線路層；所述第一硅板和所述第二硅板上設有導電柱，以使所述第一線路層、所述第二線路層、所述第三線路層和所述第四線路層連通；

所述電子器件分區設于所述基板、所述第二表面和所述第四表面。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述基板上開設有安裝凹槽，所述第一硅板設于所述安裝凹槽內，且所述第一硅板與所述安裝凹槽之間設有所述第二緩沖體。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述基板內設有第五線路層，所述第二線路層與所述第五線路層通過導線連接，所述基板上設有保護膠，以保護所述導線。

4.一種封裝方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

提供第一硅板；所述第一硅板包括相對設置的第一表面和第二表面，所述第一表面設有第一線路層，所述第二表面設有第二線路層；

提供第二硅板；所述第二硅板包括相對設置的第三表面和第四表面，所述第三表面設有第三線路層，所述第四表面設有第四線路層；

在所述第一硅板和所述第二硅板上設置導電柱，以使所述第一線路層、所述第二線路層、所述第三線路層和所述第四線路層連通；

將所述第一表面與所述基板連接，所述第二硅板的第三表面連接于所述第二表面；所述第二硅板在所述第二表面上的投影面積小于所述第二表面的面積；

在所述第一硅板和所述第二硅板之間設置第一緩沖體，所述第一緩沖體設于所述第二表面與所述第三表面之間；在所述基板與所述第一硅板之間設置第二緩沖體，所述第二緩沖體的材質與所述第一緩沖體的材質相同；在所述第一硅板上設置第一轉接錫球，所述第一轉接錫球與所述基板連接；在所述基板和所述第一硅板之間填充膠體，所述膠體為不導電膠體，所述膠體固化后形成第二緩沖體；所述第二緩沖體包括相互連接的本體和周壁，所述本體設于所述基板正面和第一表面之間，周壁包覆第一硅板的四周，且周壁的高度不低于第一硅板的高度；

在所述基板遠離所述第一硅板的一側開設植球槽，以露出所述第一轉接錫球；

融化所述第一轉接錫球；

在所述植球槽內植球，形成第二轉接錫球，所述第二轉接錫球從所述基板遠離所述第一硅板的一側露出；

在所述第二表面和/或所述第四表面貼裝電子器件。

5.根據權利要求4所述的封裝方法，其特征在于，所述將所述第一表面與所述基板連接的步驟還包括：

在所述基板上開設安裝凹槽；

將所述第一硅板設于所述安裝凹槽內。