[發明專利]二極管及其半導體結構

在審

• 申請號: 202010950252.6
• 申請日: 2020-09-10
• 公開（公告）號: CN114171494A
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發明（設計）人: 曹太和;戴昆育;顏承正
• 申請（專利權）人: 瑞昱半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L29/861
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 王紅艷

本公開涉及二極管及其半導體結構，二極管實施于一半導體結構，并包含基板、第一導體、第二導體、第三導體及第四導體。基板包含一第一摻雜區及一第二摻雜區，其中該第一摻雜區用作該二極管的一第一電極，該第二摻雜區用作該二極管的一第二電極。第一導體位于該半導體結構的一第一導體層，且連接該第一摻雜區。第二導體位于該半導體結構的一第二導體層，且連接該第一導體。第三導體位于該半導體結構的該第一導體層，且連接該第二摻雜區。第四導體位于該半導體結構的該第二導體層，且連接該第三導體。在該半導體結構的一側視圖中，該第一導體與該第三導體的重疊面積大于該第二導體與該第四導體的重疊面積。

技術領域

本發明涉及二極管，尤其涉及低電磁干擾(Electro Magnetic Interference,EMI)的二極管及其半導體結構。

背景技術

圖1是現有的芯片的功能方框圖。芯片100包含內部電路110、內部電路120、二極管130、二極管140及輸出/輸入墊150。內部電路110及內部電路120負責芯片100的功能，而內部電路120通過輸出/輸入墊150接收信號或是輸出信號。二極管130串接于電壓源VDD與輸出/輸入墊150之間，而二極管140串接于輸出/輸入墊150與接地電平之間。二極管130及二極管140可以防止靜電放電(electrostatic discharge,ESD)損害內部電路120。

隨著集成電路的功能越來越強、操作速度越來越快，芯片100上的電磁干擾問題也越來越嚴重。一般而言，在解決電磁干擾的問題上，越往信號的源頭著手效果越好，而且所付出的代價也較低。因此，設計低電磁干擾的二極管成為本技術領域的一個重要課題。

發明內容

鑒于先前技術的不足，本發明的一目的在于提供一種二極管及其半導體結構。

本發明披露一種二極管，應用于一半導體結構，包含基板、第一導體結構及第二導體結構。基板包含一第一摻雜區及一第二摻雜區，其中該第一摻雜區用作該二極管的一第一電極，該第二摻雜區用作該二極管的一第二電極，且該第一摻雜區的摻雜物不同于該第二摻雜區的摻雜物。第一導體結構位于該第一摻雜區的上方且連接該第一摻雜區，并且具有多個第一導體，其中這些第一導體分布于該半導體結構的多個導體層，且這些第一導體以多個導孔互相連接。第二導體結構位于該第二摻雜區的上方且連接該第二摻雜區，并且具有多個第二導體，其中這些第二導體分布于該半導體結構的這些導體層，且這些第二導體以多個導孔互相連接。該第一導體結構的一側視圖呈現一階梯狀。

本發明另披露一種二極管，應用于一半導體結構，包含基板、第一導體、第二導體、第三導體及第四導體。基板包含一第一摻雜區及一第二摻雜區，其中該第一摻雜區用作該二極管的一第一電極，該第二摻雜區用作該二極管的一第二電極，且該第一摻雜區的摻雜物不同于該第二摻雜區的摻雜物。第一導體位于該半導體結構的一第一導體層，且連接該第一摻雜區。第二導體位于該半導體結構的一第二導體層，且連接該第一導體。第三導體位于該半導體結構的該第一導體層，且連接該第二摻雜區。第四導體位于該半導體結構的該第二導體層，且連接該第三導體。在該半導體結構的一側視圖中，該第一導體與該第三導體的重疊面積大于該第二導體與該第四導體的重疊面積。

本發明的二極管及其半導體結構具有較小的電流回路面積，因此，相較于傳統技術，本發明的二極管及其半導體結構產生較小的電磁干擾。

有關本發明的特征、實際操作與效果，配合圖式作實施例詳細說明如下。

附圖說明

圖1為現有的芯片的功能方框圖；

圖2為本發明一實施例的二極管在基板上的布局；

圖3顯示本發明一實施例的半導體結構；

圖4A為本發明一實施例的二極管的第一橫截面圖；

圖4B為本發明一實施例的二極管的第二橫截面圖；