[發明專利]二極管及其半導體結構在審
| 申請號： | 202010950252.6 | 申請日： | 2020-09-10 |
| 公開（公告）號： | CN114171494A | 公開（公告）日： | 2022-03-11 |
| 發明（設計）人： | 曹太和;戴昆育;顏承正 | 申請（專利權）人： | 瑞昱半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/528 | 分類號： | H01L23/528;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人： | 王紅艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 二極管 及其 半導體 結構 | ||
1.一種二極管，實施于一半導體結構，包含：
一基板，包含一第一摻雜區及一第二摻雜區，其中所述第一摻雜區用作所述二極管的一第一電極，所述第二摻雜區用作所述二極管的一第二電極，且所述第一摻雜區的摻雜物不同于所述第二摻雜區的摻雜物；
一第一導體結構，位于所述第一摻雜區的上方且連接所述第一摻雜區，并且具有多個第一導體，其中所述多個第一導體分布于所述半導體結構的多個導體層，且所述多個第一導體以多個導孔互相連接；以及
一第二導體結構，位于所述第二摻雜區的上方且連接所述第二摻雜區，并且具有多個第二導體，其中所述多個第二導體分布于所述半導體結構的所述多個導體層，且所述多個第二導體以多個導孔互相連接；
其中所述第一導體結構的一側視圖呈現一階梯狀。
2.根據權利要求1所述的二極管，其中，最接近所述基板的所述第一導體為所述多個第一導體中的最長者，且其他的第一導體的長度逐漸遞減。
3.根據權利要求1所述的二極管，其中，所述第二導體結構的一側視圖呈現一階梯狀。
4.根據權利要求3所述的二極管，其中，最接近所述基板的所述第一導體為所述多個第一導體中的最長者，且其他的第一導體的長度逐漸遞減。
5.根據權利要求4所述的二極管，其中，最接近所述基板的所述第二導體為所述多個第二導體中的最長者，且其他的第二導體的長度逐漸遞減。
6.根據權利要求5所述的二極管，其中，所述多個第一導體位于所述側視圖左側的一端對齊，且所述多個第二導體位于所述側視圖右側的一端對齊。
7.一種二極管，實施于一半導體結構，并包含：
一基板，包含一第一摻雜區及一第二摻雜區，其中所述第一摻雜區用作所述二極管的一第一電極，所述第二摻雜區用作所述二極管的一第二電極，且所述第一摻雜區的摻雜物不同于所述第二摻雜區的摻雜物；
一第一導體，位于所述半導體結構的一第一導體層，且連接所述第一摻雜區；
一第二導體，位于所述半導體結構的一第二導體層，且連接所述第一導體；
一第三導體，位于所述半導體結構的所述第一導體層，且連接所述第二摻雜區；以及
一第四導體，位于所述半導體結構的所述第二導體層，且連接所述第三導體；
其中在所述半導體結構的一側視圖中，所述第一導體與所述第三導體的重疊面積大于所述第二導體與所述第四導體的重疊面積。
8.根據權利要求7所述的二極管，其中，所述第一導體位于所述基板與所述第二導體之間，且所述第三導體位于所述基板與所述第四導體之間。
9.根據權利要求8所述的二極管，其中，在所述半導體結構的一俯視圖或所述側視圖中，所述第二導體的長度小于所述第一導體的長度。
10.根據權利要求9所述的二極管，其中，在所述半導體結構的所述俯視圖或所述側視圖中，所述第四導體的長度小于所述第三導體的長度。
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