[發明專利]單晶小硅塊的拼接切割方法

有效

• 申請號: 202010947343.4
• 申請日: 2020-09-10
• 公開（公告）號: CN111993615B
• 公開（公告）日: 2022-03-22
• 發明（設計）人: 季建;岳維維;曹育紅
• 申請（專利權）人: 常州時創能源股份有限公司
• 主分類號: B28D5/00
• 分類號: B28D5/00;B28D5/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了單晶小硅塊的拼接切割方法，將單晶邊皮切割出長方體狀單晶小硅塊，將單晶小硅塊拼接后再切片出單晶硅片。本發明將單晶小硅塊拼接處理后再進行切片，可提高加工效率，提高產能。本發明將單晶小硅塊拼接后再進行切片，使得無需投入大量設備的前提下，就可以滿足硅片加工，同時提高產能，大大降低了固定資產的投入。本發明將加工單晶小硅塊的方式由單排改進為拼接，單刀產能提升50%，設備投入數量相應降低50%，同時加工硅片過程中所使用的輔材、耗能、人工成本也降低。

技術領域

本發明涉及單晶小硅塊的拼接切割方法。

背景技術

“降本增效”一直是光伏制造的最大主題，單晶硅棒開方后產生單晶邊皮，如果將單晶邊皮料進一步加工切片，可達到廢物利用的目的。

可先將單晶邊皮切割出長方體狀單晶小硅塊，再對單晶小硅塊進行切片，但目前對單晶小硅塊的加工效率不高，產能低。

發明內容

為解決現有技術的缺陷，本發明提供一種單晶小硅塊的拼接切割方法，將單晶邊皮切割出長方體狀單晶小硅塊，將單晶小硅塊拼接后再切片出單晶硅片。

優選的，將至少兩個單晶小硅塊層疊粘接后再切片。

具體的，將至少兩個單晶小硅塊層疊拼接，且各單晶小硅塊的長度方向相互平行，相鄰兩單晶小硅塊的接觸處采用膠水粘接固定，使單晶小硅塊拼接為長方體狀單晶大硅塊，便于切割，提升產能，對單晶大硅塊進行切片，切片方向與各單晶小硅塊的長度方向垂直，切片得到單晶硅片。

優選的，將至少兩個單晶小硅塊并排粘接后再切片。

具體的，將至少兩個單晶小硅塊水平拼接，且各單晶小硅塊的長度方向相互平行，相鄰兩單晶小硅塊的接觸處采用膠水粘接固定，使單晶小硅塊拼接為長方體狀單晶大硅塊，便于切割，提升產能，對單晶大硅塊進行切片，切片方向與各單晶小硅塊的長度方向垂直，切片得到單晶硅片。

優選的，將單晶小硅塊拼接之前，先對單晶小硅塊進行磨面處理。

優選的，將單晶小硅塊拼接之前，先對單晶小硅塊進行倒角處理。

優選的，對切片出的單晶硅片進行脫膠清洗。

優選的，單晶小硅塊的拼接切割方法，包括如下步驟：

1）將單晶邊皮截斷成邊皮小段；

2）切除邊皮小段兩側的尖角部；

3）切除邊皮小段的弧形凸起部，得到長方體狀單晶小硅塊；

4）對步驟3）所得單晶小硅塊進行磨面和倒角：步驟3）所得單晶小硅塊的表面并不平整，且單晶小硅塊的尺寸也不夠精確，通過磨面可以降低單晶小硅塊表面粗糙度并獲得更為精確的尺寸；并將單晶小硅塊四個角稅利邊修整成三角形，防止切割后硅片邊緣破裂及晶格缺陷產生碎片；

5）對步驟4）處理后的單晶小硅塊進行粘棒切片：將至少兩個單晶小硅塊層疊拼接，且各單晶小硅塊的長度方向都與切片機主輥的長度方向平行，相鄰兩單晶小硅塊的接觸處采用膠水粘接固定，使單晶小硅塊拼接為長方體狀單晶大硅塊，單晶大硅塊的長度方向與切片機主輥的長度方向平行，且單晶大硅塊被膠水粘在工件板上，便于切割，提升產能，采用金剛線對單晶大硅塊進行切片，切片方向與切片機主輥的長度方向垂直，切片得到單晶硅片，且單晶硅片粘在工件板上；

6）對步驟5）所得單晶硅片進行脫膠清洗：通過加熱使膠水軟化，使單晶硅片從工件板上脫離，然后把單晶硅片上的雜物清洗干凈，再將單晶硅片烘干后裝入片盒內。

優選的，單晶小硅塊的拼接切割方法，包括如下步驟：

1）將單晶邊皮截斷成邊皮小段；

2）切除邊皮小段兩側的尖角部；