[發明專利]單晶小硅塊的拼接切割方法

有效

• 申請號: 202010947343.4
• 申請日: 2020-09-10
• 公開（公告）號: CN111993615B
• 公開（公告）日: 2022-03-22
• 發明（設計）人: 季建;岳維維;曹育紅
• 申請（專利權）人: 常州時創能源股份有限公司
• 主分類號: B28D5/00
• 分類號: B28D5/00;B28D5/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.單晶小硅塊的拼接切割方法，其特征在于，包括如下步驟：

1）將單晶邊皮截斷成邊皮小段；

2）切除邊皮小段兩側的尖角部；

3）切除邊皮小段的弧形凸起部，得到長方體狀單晶小硅塊；

4）對步驟3）所得單晶小硅塊進行磨面和倒角；

5）對步驟4）處理后的單晶小硅塊進行粘棒切片：將至少兩個單晶小硅塊層疊拼接或水平拼接，且各單晶小硅塊的長度方向都與切片機主輥的長度方向平行，相鄰兩單晶小硅塊的接觸處采用膠水粘接固定，使單晶小硅塊拼接為長方體狀單晶大硅塊，單晶大硅塊的長度方向與切片機主輥的長度方向平行，且單晶大硅塊被膠水粘在工件板上，采用金剛線對單晶大硅塊進行切片，切片方向與切片機主輥的長度方向垂直，切片得到單晶硅片，且單晶硅片粘在工件板上；

6）對步驟5）所得單晶硅片進行脫膠清洗：通過加熱使膠水軟化，使單晶硅片從工件板上脫離，然后把單晶硅片上的雜物清洗干凈，再將單晶硅片烘干后裝入片盒內。