[發明專利]顯示面板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 202010946960.2
• 申請日: 2020-09-10
• 公開（公告）號: CN112071865B
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發明（設計）人: 張愉;江淼;姚江波;陳黎暄;張鑫
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 高楊麗

本申請公開一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置，所述顯示面板包括：第一晶體管，所述第一晶體管包括第一半導體層，所述第一半導體層包括硒氧化鉍材料，以增強所述第一晶體管的遷移率，從而提高所述顯示面板的電學性能，使顯示面板滿足高刷新率、高穿透率的要求。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術

在現有顯示裝置的背板中，常采用包括硅半導體層的晶體管，當顯示裝置具有高刷新率、高穿透率等要求時，晶體管的表現會存在一定差距，需要開發更高性能的器件以滿足顯示裝置對高刷新率、高穿透率等的要求。

發明內容

本申請實施例提供一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置，可以增強晶體管的遷移率，滿足顯示面板對高刷新率、高穿透率等的要求。

本申請實施例提供一種顯示面板，包括：第一晶體管，所述第一晶體管包括第一半導體層，所述第一半導體層包括硒氧化鉍材料。

在一些實施例中，所述顯示面板包括感光檢測單元，所述感光檢測單元包括：

第二晶體管，所述第二晶體管包括第二半導體層，所述第二晶體管用于將光信號轉換為電信號；以及，

所述第一晶體管，所述第一晶體管用于導出所述電信號。

在一些實施例中，所述第二晶體管還包括位于所述第二半導體層靠近所述顯示面板出光面一側的光敏層，所述第二半導體層包括硅材料、氧化物材料、硒氧化鉍材料中的一種。

在一些實施例中，所述第二半導體層包括硅半導體層、氧化物半導體層中的一種。

在一些實施例中，所述感光檢測單元還包括電容，所述第一晶體管包括第一源極、第一漏極及與所述第一半導體層對位設置的第一柵極，所述第二晶體管包括第二源極、第二漏極及與所述第二半導體層對位設置的第二柵極；所述電容串聯在所述第二晶體管的所述第二柵極與所述第二源極或所述第二漏極中的一者之間，且所述電容的下極板與所述第一晶體管的所述第一源極或所述第一漏極中的一者電性連接。

在一些實施例中，所述第一柵極、所述第二柵極與所述電容的所述下極板同層設置，所述第一源極、所述第一漏極、所述第二源極、所述第二漏極及所述電容的上極板同層設置，所述上極板與所述下極板相對設置。

在一些實施例中，所述感光檢測單元還包括積分器，所述積分器的輸入端與所述第一晶體管的所述第一源極或所述第一漏極中的一者連接，所述積分器用于根據所述電信號輸出信號。

本申請還提供一種顯示面板的制備方法，包括以下步驟：

步驟S10：提供襯底；

步驟S20：在所述襯底表面上制備第二半導體層和第一半導體層；

其中，所述第一半導體包括硒氧化鉍材料，所述第二半導體層的載流子遷移率小于或等于所述第一半導體層的載流子遷移率。

在一些實施例中，所述制備方法還包括：

步驟S30：在所述第二半導體層表面上制備光敏層。

在一些實施例中，在所述步驟S20中還包括：

步驟S21：提供五水合硝酸鉍及乙二醇，并將五水合硝酸鉍溶解于乙二醇中形成均勻溶液；

步驟S22：利用噴墨打印技術將所述溶液制備于所述襯底表面，形成第一反應層；

步驟S23：對所述第一反應層進行加熱固化處理，得到第二反應層；

步驟S24：對所述第二反應層進行硒化處理得到所述第一半導體層。

在一些實施例中，乙二醇與五水合硝酸鉍的質量百分比為50：1～100：1。