[發明專利]顯示面板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 202010946960.2
• 申請日: 2020-09-10
• 公開（公告）號: CN112071865B
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發明（設計）人: 張愉;江淼;姚江波;陳黎暄;張鑫
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 高楊麗

1.一種顯示面板，其特征在于，包括多個感光檢測單元及多個像素單元；

每一所述像素單元包括第一子像素、與所述第一子像素相鄰的第二子像素、以及與所述第二子像素相鄰的第三子像素；

每一所述感光檢測單元包括第一晶體管、用于將光信號轉換為電信號的第二晶體管、以及用于累計所述電信號產生的電子的電容；所述第一晶體管包括第一半導體層，所述第一半導體層包括硒氧化鉍材料，所述第一晶體管用于導出所述電信號，所述第二晶體管包括第二半導體層；

其中，在俯視視角下，所述第二晶體管位于相鄰的兩所述第一子像素之間，所述電容位于相鄰的兩所述第二子像素之間，所述第一晶體管位于相鄰的兩所述第三子像素之間。

2.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第二晶體管還包括位于所述第二半導體層靠近所述顯示面板出光面一側的光敏層，所述第二半導體層包括硅材料、氧化物材料、硒氧化鉍材料中的一種。

3.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第二半導體層包括硅半導體層、氧化物半導體層中的一種。

4.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一晶體管包括第一源極、第一漏極及與所述第一半導體層對位設置的第一柵極，所述第二晶體管包括第二源極、第二漏極及與所述第二半導體層對位設置的第二柵極；所述電容串聯在所述第二晶體管的所述第二柵極與所述第二源極或所述第二漏極中的一者之間，且所述電容的下極板與所述第一晶體管的所述第一源極或所述第一漏極中的一者電性連接。

5.根據權利要求4所述的顯示面板，其特征在于，所述第一柵極、所述第二柵極與所述電容的所述下極板同層設置，所述第一源極、所述第一漏極、所述第二源極、所述第二漏極及所述電容的上極板同層設置，所述上極板與所述下極板相對設置。

6.根據權利要求4所述的顯示面板，其特征在于，所述感光檢測單元還包括積分器，所述積分器的輸入端與所述第一晶體管的所述第一源極或所述第一漏極中的一者連接，所述積分器用于根據所述電信號輸出信號。

7.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S10：提供襯底；

步驟S20：在所述襯底表面上制備感光檢測單元及像素單元；

其中，所述像素單元包括第一子像素、與所述第一子像素相鄰的第二子像素、以及與所述第二子像素相鄰的第三子像素；所述感光檢測單元包括第一晶體管、第二晶體管、以及電容；所述第一晶體管包括第一半導體層，所述第一半導體包括硒氧化鉍材料，所述第二晶體管包括第二半導體層，所述第二半導體層的載流子遷移率小于或等于所述第一半導體層的載流子遷移率；在俯視視角下，所述第二晶體管位于相鄰的兩所述第一子像素之間，所述電容位于相鄰的兩所述第二子像素之間，所述第一晶體管位于相鄰的兩所述第三子像素之間。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：

步驟S30：在所述第二半導體層表面上制備光敏層。

9.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟S20中還包括：

步驟S21：提供五水合硝酸鉍及乙二醇，并將五水合硝酸鉍溶解于乙二醇中形成均勻溶液；

步驟S22：利用噴墨打印技術將所述溶液制備于所述襯底表面，形成第一反應層；

步驟S23：對所述第一反應層進行加熱固化處理，得到第二反應層；

步驟S24：對所述第二反應層進行硒化處理得到所述第一半導體層。

10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，乙二醇與五水合硝酸鉍的質量百分比為50：1～100：1。

11.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述加熱固化處理時的溫度為400℃～500℃，加熱時長為40分鐘～120分鐘。