[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010943553.6
• 申請(qǐng)日: 2020-09-09
• 公開（公告）號(hào): CN114242643A
• 公開（公告）日: 2022-03-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭二虎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/762
• 分類號(hào): H01L21/762
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括第一區(qū)和第二區(qū)；

在所述第一區(qū)的所述襯底內(nèi)形成第一溝槽；

在形成所述第一溝槽的同時(shí)或之后，在所述第二區(qū)的所述襯底內(nèi)形成若干相互分立的鰭部，相鄰所述鰭部之間具有第二溝槽，且所述第二溝槽的深度小于所述第一溝槽的深度。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一溝槽和所述鰭部同時(shí)形成，形成所述第一溝槽和所述鰭部的步驟包括：

在所述襯底表面形成第一掩膜結(jié)構(gòu)，所述第一掩膜結(jié)構(gòu)包括第一掩膜層以及若干相互分立的第一鰭部圖形，所述第一鰭部圖形位于所述第二區(qū)的所述第一掩膜層上，所述第一掩膜層內(nèi)具有第一開口，所述第一開口暴露出部分所述第一區(qū)的襯底表面；

以所述第一掩膜結(jié)構(gòu)為掩膜，刻蝕所述第一區(qū)和第二區(qū)的襯底，直至形成所述第一溝槽和所述鰭部。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在以所述第一掩膜結(jié)構(gòu)為掩膜，刻蝕所述第一區(qū)和第二區(qū)的襯底之前，還包括：刻蝕所述第一開口的側(cè)壁，在所述第一區(qū)的第一掩膜層內(nèi)形成第二開口，所述第二開口的寬度大于所述第一開口的寬度。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述第一掩膜結(jié)構(gòu)的步驟包括：

在所述第一區(qū)和所述第二區(qū)上形成初始第一掩膜層；

在所述初始第一掩膜層上形成若干分立排布的第一鰭部圖形；

在所述初始第一掩膜層和所述第一鰭部圖形上形成第一圖形化層，所述第一圖形化層具有第三開口，所述第三開口暴露出所述第一區(qū)的所述第一鰭部圖形表面以及部分第一區(qū)的初始第一掩膜層的表面；

以所述第一圖形化層為掩膜，刻蝕所述第一區(qū)的所述第一鰭部圖形和所述初始第一掩膜層，直至暴露出所述第一區(qū)的襯底表面。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在形成所述第一圖形化層之前，還包括：在所述初始第一掩膜層和所述第一鰭部圖形表面形成第一犧牲層，所述第一犧牲層的頂部表面高于所述第一鰭部圖形的頂部表面。

6.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在形成所述第一溝槽和所述鰭部之后，還包括：在所述第一溝槽和所述第二溝槽內(nèi)形成第一隔離層。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在形成所述第一溝槽之后，形成所述鰭部，形成所述第一溝槽的步驟包括：

在所述第一區(qū)和所述第二區(qū)的所述襯底表面形成第二掩膜層；

在所述第一區(qū)和所述第二區(qū)的所述第二掩膜層上形成若干分立排布的第二鰭部圖形；

在所述第二掩膜層以及所述第二鰭部圖形上形成第二圖形化層，所述第二圖形化層內(nèi)具有第四開口，所述第四開口暴露出所述第一區(qū)的第二鰭部圖形表面以及部分第一區(qū)的第二掩膜層的表面；

以所述第二圖形化層為掩膜，刻蝕所述第一區(qū)的第二鰭部圖形、第二掩膜層以及襯底，在所述第一區(qū)內(nèi)形成所述第一溝槽。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在形成所述第一溝槽之后，形成所述鰭部的步驟包括：以所述第二區(qū)的所述第二鰭部圖形為掩膜，刻蝕所述襯底，在所述第二區(qū)內(nèi)形成所述鰭部。

9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述第二掩膜層以及所述第二鰭部圖形上形成第二圖形化層之前，還包括：在所述第二掩膜層以及所述第二鰭部圖形表面形成第二犧牲層，所述第二犧牲層的頂部表面高于所述第二鰭部圖形的頂部表面。

10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在形成所述第一溝槽之后，形成所述鰭部之前，還包括：在所述第一溝槽內(nèi)形成第二隔離層。

11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在形成所述鰭部之后，還包括：在所述第二溝槽內(nèi)形成第三隔離層。