[發(fā)明專利]陣列基板、陣列基板的制造方法及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010943446.3
• 申請(qǐng)日: 2020-09-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112349733B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-09-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹中歡;余豐;王亞男
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 湖北長(zhǎng)江新型顯示產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 尹紅敏

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板、陣列基板的制造方法及顯示裝置，陣列基板包括襯底基板和位于襯底基板一側(cè)的多個(gè)薄膜晶體管；薄膜晶體管包括：有源結(jié)構(gòu)，設(shè)置于襯底基板的一側(cè)，有源結(jié)構(gòu)包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域的電阻率小于第二區(qū)域的電阻率，第一區(qū)域包括源區(qū)和漏區(qū)，第二區(qū)域包括溝道區(qū)和輔助區(qū)，溝道區(qū)位于源區(qū)和漏區(qū)之間，輔助區(qū)圍繞至少部分源區(qū)和/或漏區(qū)；源漏電極，包括源極和漏極，源極連接于源區(qū)，漏極連接于漏區(qū)；第一絕緣層，設(shè)置于有源結(jié)構(gòu)的一側(cè)；柵極，設(shè)置于第一絕緣層背離有源結(jié)構(gòu)的一側(cè)，柵極在襯底基板上的正投影覆蓋至少部分溝道區(qū)在襯底基板上的正投影。本發(fā)明實(shí)施例能夠降低薄膜晶體管的截止電流。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、陣列基板的制造方法及顯示裝置。

背景技術(shù)

有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode；OLED)是主動(dòng)發(fā)光器件。與傳統(tǒng)的液晶顯示(Liquid Crystal Display；LCD)顯示方式相比，OLED顯示技術(shù)無(wú)需背光燈，具有自發(fā)光的特性。OLED采用較薄的有機(jī)材料膜層和玻璃基板，當(dāng)有電流通過(guò)時(shí)，有機(jī)材料就會(huì)發(fā)光。因此OLED顯示面板能夠顯著節(jié)省電能，可以做得更輕更薄，比LCD顯示面板耐受更寬范圍的溫度變化，而且可視角度更大。OLED顯示面板有望成為繼LCD之后的下一代平板顯示技術(shù)，是目前平板顯示技術(shù)中受到關(guān)注最多的技術(shù)之一。

在OLED顯示屏中，由于刷新頻率較高，對(duì)驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體元件的的截止電流要求較高。但是目前的半導(dǎo)體元件中，由于源漏電極之間存在微短路，導(dǎo)致截止電流無(wú)法達(dá)到理想值。

因此，亟需一種新的陣列基板、陣列基板的制造方法及顯示裝置。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板、陣列基板的制造方法及顯示裝置，旨在降低薄膜晶體管的截止電流。

本發(fā)明第一方面的實(shí)施例提供了一種陣列基板，陣列基板包括襯底基板和設(shè)置于襯底基板一側(cè)的多個(gè)薄膜晶體管；薄膜晶體管包括：有源結(jié)構(gòu)，設(shè)置于襯底基板的一側(cè)，有源結(jié)構(gòu)包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域的電阻率小于第二區(qū)域的電阻率，第一區(qū)域包括源區(qū)和漏區(qū)，第二區(qū)域包括溝道區(qū)和輔助區(qū)，在平行于襯底基板所在平面的方向上，溝道區(qū)位于源區(qū)和漏區(qū)之間，輔助區(qū)圍繞至少部分源區(qū)和/或漏區(qū)；源漏電極，包括源極和漏極，源極連接于源區(qū)，漏極連接于漏區(qū)；第一絕緣層，設(shè)置于有源結(jié)構(gòu)的一側(cè)；柵極，設(shè)置于第一絕緣層背離有源結(jié)構(gòu)的一側(cè)，柵極在襯底基板上的正投影覆蓋至少部分溝道區(qū)在襯底基板上的正投影。

本發(fā)明第二方面的實(shí)施例提供了一種陣列基板的制造方法，包括：

在襯底基板上形成有源層；

對(duì)有源層進(jìn)行刻蝕處理形成多個(gè)有源結(jié)構(gòu)，有源結(jié)構(gòu)包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域的電阻率小于第二區(qū)域的電阻率，第一區(qū)域包括源區(qū)和漏區(qū)，第二區(qū)域包括溝道區(qū)和輔助區(qū)，在平行于襯底基板所在平面的方向上，溝道區(qū)位于源區(qū)和漏區(qū)之間，輔助區(qū)圍繞至少部分源區(qū)和/或漏區(qū)；

在有源層背離襯底基板的一側(cè)形成第一絕緣層；

在第一絕緣層背離有源層的一側(cè)形成柵極，柵極在襯底基板上的至少部分正投影覆蓋溝道區(qū)在襯底基板上的正投影；

對(duì)有源結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域進(jìn)行導(dǎo)電化處理；

在柵極背離第一絕緣層的一側(cè)形成第二絕緣層；

對(duì)第一絕緣層和第二絕緣層進(jìn)行圖案化處理，以使源區(qū)和漏區(qū)由第一絕緣層和第二絕緣層露出；

在第二絕緣層背離第一絕緣層的一側(cè)形成源漏電極，源漏電極包括源極和漏極，源極連接于源區(qū)，漏極連接于漏區(qū)。

本發(fā)明第三方面的實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括上述任一第一方面實(shí)施例的陣列基板。