[發(fā)明專利]陣列基板、陣列基板的制造方法及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010943446.3
• 申請(qǐng)日: 2020-09-09
• 公開（公告）號(hào): CN112349733B
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹中歡;余豐;王亞男
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 湖北長(zhǎng)江新型顯示產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 尹紅敏

1.一種陣列基板，其特征在于，

所述陣列基板包括襯底基板和位于所述襯底基板一側(cè)的多個(gè)薄膜晶體管；

所述薄膜晶體管包括：

有源結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述襯底基板的一側(cè)，所述有源結(jié)構(gòu)包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域的電阻率小于所述第二區(qū)域的電阻率，所述第一區(qū)域包括源區(qū)和漏區(qū)，所述源區(qū)和所述漏區(qū)均設(shè)置有第一連接區(qū)與第二連接區(qū)，所述第二區(qū)域包括溝道區(qū)和輔助區(qū)，在平行于所述襯底基板所在平面的方向上，所述溝道區(qū)位于所述源區(qū)和所述漏區(qū)之間，所述輔助區(qū)圍繞至少部分所述源區(qū)和/或漏區(qū)；

源漏電極，包括源極和漏極，所述源極連接于所述源區(qū)，所述漏極連接于所述漏區(qū)；

第一絕緣層，設(shè)置于所述有源結(jié)構(gòu)的一側(cè)；

柵極，設(shè)置于所述第一絕緣層背離所述有源結(jié)構(gòu)的一側(cè)，所述柵極在所述襯底基板上的正投影覆蓋至少部分所述溝道區(qū)在所述襯底基板上的正投影，

其中，所述源區(qū)和所述漏區(qū)分別通過所述第一連接區(qū)與所述源極和所述漏極相互連接，所述第二連接區(qū)位于所述第一連接區(qū)與所述溝道區(qū)之間，且在所述第一連接區(qū)至所述溝道區(qū)的方向上，所述第二連接區(qū)的延伸寬度逐漸增大。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述輔助區(qū)呈U型，且所述輔助區(qū)的U型兩端連接于所述溝道區(qū)，所述輔助區(qū)和所述溝道區(qū)環(huán)繞圍合于所述源區(qū)和所述漏區(qū)中至少一者的外周。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述源區(qū)和所述漏區(qū)的外周側(cè)均設(shè)置有所述輔助區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述輔助區(qū)在所述陣列基板上形成第一正投影，所述第一連接區(qū)在所述陣列基板上形成第二正投影，所述第一正投影的外邊緣至所述第二正投影的外邊緣的最小距離大于或等于0.5μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第二連接區(qū)在所述陣列基板上形成第三正投影，所述第一正投影的外邊緣至所述第三正投影的外邊緣的最小距離為0.3μm~ 0.5μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述第一絕緣層設(shè)置于所述有源結(jié)構(gòu)背離所述基板的一側(cè)，所述柵極和所述源漏電極之間還設(shè)置有第二絕緣層；

所述薄膜晶體管還包括遮擋部，所述遮擋部和所述柵極同層設(shè)置，所述遮擋部在所述襯底基板上的正投影覆蓋至少部分所述輔助區(qū)在所述襯底基板上的正投影。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述遮擋部呈U形并具有開口，所述遮擋部的所述開口朝向所述柵極設(shè)置，所述遮擋部在所述襯底基板上的正投影和所述第一區(qū)域在所述襯底基板上的正投影交錯(cuò)設(shè)置。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述遮擋部的兩端連接于所述柵極。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述遮擋部和所述柵極相互絕緣設(shè)置，所述遮擋部朝向所述柵極的兩端設(shè)置有收窄部，在所述遮擋部至所述柵極的方向上，所述收窄部的延伸寬度逐漸減小。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述有源結(jié)構(gòu)的材料包括金屬氧化物。