[發(fā)明專利]寫輔助電路、器件及其方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010941257.2 | 申請日： | 2020-09-09 |
| 公開（公告）號： | CN113129962A | 公開（公告）日： | 2021-07-16 |
| 發(fā)明（設計）人： | 蔡睿哲;黃家恩;陳家政;王奕 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C11/419 | 分類號： | G11C11/419;G11C11/412 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產(chǎn)權代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李偉 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 輔助 電路 器件 及其 方法 | ||
1.一種寫輔助電路，包括：
位線，具有近端和遠端；
第一開關晶體管和第二開關晶體管，分別連接到所述近端和所述遠端，并且其中，所述第一開關晶體管和所述第二開關晶體管響應于寫使能信號；以及
第一電容器和第二電容器，所述第一電容器和所述第二電容器并聯(lián)連接，其中，所述第一電容器連接到所述第一開關晶體管和所述第二開關晶體管中的至少一個，并且所述第二電容器連接到所述第一開關晶體管和所述第二開關晶體管，其中，在所述寫使能信號導通所述第一開關晶體管和所述第二開關晶體管期間，所述第一電容器和所述第二電容器在所述近端和所述遠端以時間時段保持平衡負電壓。
2.根據(jù)權利要求1所述的寫輔助電路，其中，將下降的負電壓升壓信號施加到所述第一電容器和所述第二電容器，以創(chuàng)建所述平衡負電壓的電平。
3.根據(jù)權利要求1所述的寫輔助電路，其中，所述第一電容器是MOS電容器。
4.根據(jù)權利要求1所述的寫輔助電路，其中，所述第二電容器是金屬電容器。
5.根據(jù)權利要求1所述的寫輔助電路，其中，所述第一電容器是MOS電容器，并且所述第二電容器是金屬電容器。
6.根據(jù)權利要求5所述的寫輔助電路，其中，所述升壓信號施加到所述第一電容器和所述第二電容器的第一極板，并且所述第一電容器和所述第二電容器的第二極板連接到所述第一開關晶體管和所述第二開關晶體管。
7.根據(jù)權利要求6所述的寫輔助電路，其中，所述升壓信號下降到在0mV至負300mV范圍內(nèi)的電壓。
8.根據(jù)權利要求6所述的寫輔助電路，其中，所述升壓信號從0mV下降到負200mV。
9.一種寫輔助器件，包括：
第一晶體管開關和第二晶體管開關，所述第一晶體管開關連接到位線的近端并且所述第二晶體管開關連接到所述位線的遠端，所述第一晶體管開關和所述第二晶體管開關響應于通過信號；
MOS電容器和金屬電容器，所述MOS電容器和所述金屬電容器并聯(lián)，所述MOS電容器直接連接到所述第一晶體管開關和所述第二晶體管開關中的至少一個，并且所述金屬電容器直接連接到所述第一晶體管開關和所述第二晶體管開關；以及
控制電路，所述控制電路在寫入操作期間提供突跳信號，所述突跳信號從地電平下降到負電平，其中，將所述突跳信號施加到所述MOS電容器和所述金屬電容器在所述通過信號施加到所述第一開關晶體管和第二開關晶體管期間在所述突跳信號的電壓與所述近端和所述遠端處的電壓之間建立平衡的耦合。
10.一種在位線的近端和遠端建立平衡負電壓的方法，包括：
并聯(lián)連接MOS電容器和金屬電容器，其中，所述MOS電容器的第二極板通過第一開關晶體管連接到位線的近端，并且所述金屬電容器的第二極板通過所述第一開關晶體管連接到所述位線的近端且通過第二開關晶體管連接到所述位線的遠端；
將下降的負突跳電壓施加到所述MOS電容器和所述金屬電容器的所述第一極板；以及
導通所述第一開關晶體管和所述第二開關晶體管，其中，所述MOS電容器和所述金屬電容器耦合到所述近端和所述遠端處的電壓，并且向位線提供在時間時段內(nèi)等于突跳電壓的平衡電壓。
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