[發(fā)明專利]發(fā)光裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010937982.2
• 申請日: 2019-02-03
• 公開（公告）號: CN112103273B
• 公開（公告）日: 2023-02-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 時(shí)軍朋;余長治;徐宸科;黃兆武;黃永特
• 申請（專利權(quán)）人: 泉州三安半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/38;H01L33/46;H01L33/48;H01L33/54;H01L33/62;H01L33/64
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1.一種發(fā)光裝置，包括：

支架，具有用于安裝LED芯片的安裝表面；

LED芯片，安裝于所述支架的安裝表面上；

封裝材料層，覆蓋于所述LED芯片的表面上，將所述LED芯片密封于所述支架上；

反光材料層，位于該支架和該封裝材料層之間，圍繞所述LED芯片的外側(cè)面，但不覆蓋所述LED芯片的出光面；

其特征在于：所述LED芯片的發(fā)光角為150°以下，所述反光材料層的上表面與所述LED芯片的出光面的距離H1為20μm以內(nèi)；

所述LED芯片包含基板、反射層、外延疊層、第一電極和第二電極，所述外延疊層具有相對的上表面和下表面，上表面為所述出光面，所述反射層位于下表面之下，所述基板位于反射層的下方，所述第一電極和第二電極位于所述襯底上，所述反光材料層環(huán)繞所述芯片的周圍達(dá)到直至覆蓋所述LED芯片的第一電極和第二電極，且低于所述出光面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于：所述反射層與所述出光面的距離為10μm以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于：所述第一電極和第二電極分別通過導(dǎo)電層從所述外延疊層的下表面引出，并朝向所述外延疊層的上表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于：所述支架設(shè)有第一焊線區(qū)和第二焊線區(qū)，該第一焊線區(qū)和第二焊線區(qū)彼此電性隔離，所述第一電極和第二電極通過引線分別連接到所述支架的第一焊線區(qū)和第二焊線區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于：所述LED芯片還包含第一電連接層和第二電連接層，其中第一電連接層電連接第一半導(dǎo)體層和第一電極，第二電連接層電連接第二半導(dǎo)體層和第二電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，其特征在于：所述第一電連接層包含所述反射層。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，其特征在于：還包括第一電連接層、和第二電連接層和第三電連接層，所述第一電連接層電連接第一半導(dǎo)體層和第一電極，所述第二電連接層電連接第三電連接層和第二電極，所述第三電連接層位于第一、第二電連接層的下方，具有至少一個(gè)第一延伸部和一個(gè)第二延伸部，其中第一延伸部貫穿第一半導(dǎo)體層、有源層，與第二半導(dǎo)體層接觸，第二延伸部與第二電連接層接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光裝置，其特征在于：所述第一、第二電連接層具有相同的結(jié)構(gòu)層和厚度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于：所述LED芯片的出光角為120°以下。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于：所述反光材料層的上表面與所述LED芯片的出光面的距離H1為10μm以內(nèi)。