[發(fā)明專利]天線及其制作方法、天線裝置及其制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010934857.6 | 申請(qǐng)日： | 2020-09-08 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN114156641A | 公開（公告）日： | 2022-03-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王瑛;丁天倫;武杰;賈皓程;李亮;唐粹偉;李強(qiáng)強(qiáng);張瑋;衛(wèi)盟;劉昊;車春城 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方傳感技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01Q1/38 | 分類號(hào)： | H01Q1/38;H01Q1/50 |
| 代理公司： | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人： | 李迎亞;姜春咸 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 天線 及其 制作方法 裝置 | ||
1.一種天線，其特征在于，包括第一基底，位于所述第一基底上的基材層；所述基材層中具有多個(gè)呈陣列排布的天線腔體，所述天線腔體的內(nèi)側(cè)具有導(dǎo)電層，每個(gè)所述天線腔體和其內(nèi)側(cè)的所述導(dǎo)電層形成一天線單元；其中，
每個(gè)所述天線腔體包括靠近所述第一基底一側(cè)的近端開口，和遠(yuǎn)離所述第一基底一側(cè)的遠(yuǎn)端開口，所述遠(yuǎn)端開口的口徑大于所述近端開口的口徑；并且，所述天線腔體相對(duì)遠(yuǎn)離所述第一基底處的口徑，不小于相對(duì)靠近所述第一基底處的口徑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線，其特征在于，每個(gè)所述天線腔體包括相連的第一腔體和第二腔體，所述第二腔體相對(duì)所述第一腔體靠近所述第一基底設(shè)置；其中，
由所述第二腔體指向所述第一腔體的方向，所述第一腔體的口徑逐漸增大，所述第二腔體的口徑不變；所述第一腔體靠近所述第二腔體的端部的口徑，與所述第二腔體靠近所述第一腔體的端部的口徑的差值小于第一預(yù)設(shè)值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的天線，其特征在于，所述第一腔體包括至少一個(gè)相對(duì)所述第一基底傾斜設(shè)置的第一側(cè)壁；所述第二腔體包括至少一個(gè)相對(duì)所述第一基底垂直設(shè)置的第二側(cè)壁。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的天線，其特征在于，所述第一腔體為方椎體，包括四個(gè)相對(duì)所述第一基底傾斜設(shè)置的第一側(cè)壁；所述第二腔體為長方體，包括四個(gè)相對(duì)所述第一基底垂直設(shè)置的第二側(cè)壁。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線，其特征在于，所述基材層的材料包括硅、石英、陶瓷中的任一種。
6.一種天線裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-5任一所述天線和移相器，所述移相器與所述天線相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的天線裝置，其特征在于，所述移相器包括相對(duì)設(shè)置的第二基底和第三基底，以及設(shè)置在所述第二基底和所述第三基底之間的介質(zhì)層，所述第二基底和所述第三基底之間的電場能夠改變所述介質(zhì)層的介電常數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的天線裝置，其特征在于，所述第二基底與第一基底共用。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的天線裝置，其特征在于，所述第二基底靠近所述第三基底一側(cè)具有第一電極層，所述第三基底靠近所述第二基底一側(cè)具有第二電極層；其中，
所述第一電極層具有多個(gè)狹縫，所述狹縫與所述天線腔體一一對(duì)應(yīng)；每個(gè)所述天線腔體的近端開口在所述第三基底上的正投影，和與之對(duì)應(yīng)的所述狹縫在所述第三基底上的正投影具有重疊區(qū)域；
所述第二電極層包括多個(gè)子電極，所述子電極與所述天線腔體一一對(duì)應(yīng)；每個(gè)所述天線腔體的近端開口在所述第三基底上的正投影，和與之對(duì)應(yīng)的所述子電極在所述第三基底上的正投影具有重疊區(qū)域。
10.一種天線的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
在基材層中制作多個(gè)呈陣列分布的天線腔體；
在每個(gè)所述天線腔體的內(nèi)側(cè)制作導(dǎo)電層；
其中，每個(gè)所述天線腔體包括靠近第一基底一側(cè)的近端開口，和遠(yuǎn)離所述第一基底一側(cè)的遠(yuǎn)端開口，所述遠(yuǎn)端開口的口徑大于所述近端開口的口徑，并且，所述天線腔體相對(duì)遠(yuǎn)離所述第一基底處的口徑，不小于相對(duì)靠近所述第一基底處的口徑。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述基材層的材料為硅；在基材層中制作多個(gè)呈陣列分布的天線腔體，具體包括：通過體硅刻蝕工藝制作多個(gè)呈陣列分布的所述天線腔體。
12.一種天線裝置的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
制作天線；
制作移相器；
將所述天線和所述移相器通過鍵合工藝或貼合工藝裝配為一體。
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