[發明專利]一種柔性導電薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 202010934134.6
• 申請日: 2020-09-08
• 公開（公告）號: CN112435776B
• 公開（公告）日: 2021-10-19
• 發明（設計）人: 吳明忠;朱正錄;黃云輝;伽龍;曾祥平;焦鑫鵬
• 申請（專利權）人: 浙江柔震科技有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00
• 代理公司: 廈門原創專利事務所(普通合伙) 35101
• 代理人: 徐東峰

1.一種柔性導電薄膜的方法，所述方法包括以下步驟：

1)對真空蒸鍍設備進行清理，清理結束后對設備腔體進行抽真空到一定的真空條件；

2)對柔性基底層表面進行表面處理，去除表面的析出物和污染物并對表面添加含氧官能團修飾；

3)在所述柔性基底層的上下表面真空送絲蒸鍍增強層，所述增強層為Zn、Ni或Sn金屬鍍膜或為非金屬SiC、Si₃N₄、Al₂O₃、Fe₂O₃、Cr₂O₃中的一種或兩種以上混合物鍍膜；

4)在鍍有增強層的基體的上下表面真空蒸鍍金屬導電層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述柔性基底層為聚合物微孔膜，所述柔性基底層材料采用聚丙烯膜(PP)、流延聚丙烯薄膜(CPP)、耐高溫聚酯薄膜(PET)、雙向拉伸聚丙烯薄膜(OPP)或聚酰亞胺薄膜(PI)中的任意一種或至少兩種。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬導電層的材料采用Al、Ni、Cu、Au、Zn、Ag、Cr或Sn中的任意一種或至少兩種的組合。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述表面處理方式為等離子處理。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述等離子處理為采用氧氣與氬氣混合氣體對高分子薄膜基材表面進行處理。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述混合氣體中氧氣與氬氣混合氣體的比例范圍1:0.1-10。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(3)中的真空送絲蒸鍍的工藝參數范圍為：沉積電壓范圍：4-10V；沉積氧分壓范圍：1000-12000sccm；送絲量范圍：60-350mm/min；真空范圍：8×10^-4-5×10^-2mba；膜運轉速度：3-10m/s；透光率范圍：80％-90％。

8.由權利要求1-7任一項所述方法制備的柔性導電薄膜，其特征在于，所述柔性導電薄膜包括柔性基底層，所述柔性基底層上下面的導電層以及設置于所述導電層與所述基底層之間的增強層，所述柔性導電薄膜的面密度為0.52～4.5mg/cm²，電阻率為2×10^-8～6×10^-8Ω·m。

9.根據權利要求8所述的柔性導電薄膜，其特征在于，所述柔性基底層的厚度為1～30μm。

10.根據權利要求8所述的柔性導電薄膜，其特征在于，所述增強層的厚度為5-50nm。