[發明專利]真空處理裝置

在審

• 申請號: 202010933390.3
• 申請日: 2020-09-08
• 公開（公告）號: CN112563158A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 江藤謙次;神保洋介;山本良明;阿部洋一;宮谷武尚
• 申請（專利權）人: 株式會社愛發科
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/205;H01J37/32
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 崔今花;周艷玲

本發明的真空處理裝置具備電極框。電極框具有上板部、下板部和縱板部。上板部被安裝在電極法蘭上，在俯視中形成為框形狀且具有上外側區域。下板部具有與滑動板的一部分接觸的接觸面且與上板部平行延伸，在俯視中形成為框形狀且具有下外側區域。縱板部具有固定在上板部的上外側區域的上固定端和固定在下板部的下外側區域的下固定端，縱板部從下板部向上板部豎立設置，被固定在上板部與下板部之間，且厚度小于上板部和下板部的厚度。

技術領域

本發明涉及真空處理裝置。

背景技術

一直以來，已知作為使用等離子體的處理裝置，特別是等離子體CVD成膜裝置或蝕刻裝置等對基板實施表面處理的等離子體處理裝置。在該等離子體處理裝置中，通過由腔室和電極法蘭夾著的絕緣法蘭構造處理室，以具有成膜空間(反應室)。在該處理室內，設置有與電極法蘭連接且具有多個噴出口的簇射極板和供基板配置的加熱器。

在簇射極板與電極法蘭之間形成的空間是導入原料氣體的氣體導入空間。即，簇射極板將處理室的內部劃分為在基板上形成膜的成膜空間和氣體導入空間。高頻電源連接在電極法蘭上，簇射極板直接連接在電極法蘭上，由此，電極法蘭和簇射極板作為陰極電極發揮作用(例如，參照專利文獻1、2)。

近年來，隨著等離子體處理溫度的上升，需要以簇射極板的溫度達到400℃的處理溫度進行等離子體處理的等離子體處理裝置。在這樣的等離子體處理裝置中，為了實現簇射極板的溫度分布的均勻化，提出了通過由哈氏合金C-22(注冊商標)等耐腐蝕性材料構成的電極框連接簇射極板與電極法蘭的結構(日本特愿2019-000528)。根據該結構，不僅得到簇射極板與電極法蘭的電連接，還抑制從簇射極板到電極法蘭的熱移動，實現高溫簇射極板的溫度分布的均勻化。

專利文獻1：國際公開第2010/079756號

專利文獻2：國際公開第2010/079753號

但是，在液晶顯示器、有機電致發光顯示器等的FPD(Flat Panel Display、平板顯示器)的制造等中，不僅基板的表面積增加，而且在基板上形成的多個器件(FPD)的每一個中，像素高精細化，周邊電路的配線寬度微細化。因此，進一步要求降低導致像素缺陷的發生、形成周邊電路的配線的斷線等的產生的粒子的發生量。

然而，如上所述，在將電極法蘭與簇射極板電連接的電極框由哈氏合金形成的結構中，存在如下問題：由于NF₃等氣體造成哈氏合金老化及腐蝕，成為粒子發生源。

另外，可以考慮在電極框的表面實施提高耐腐蝕性的涂覆，實施抑制電極框與氣體的接觸的對策，但存在成本增加的問題。

作為構造電極框的材料，可以采用耐腐蝕性優異的鋁，但是鋁是熱導性優異的材料。因此，僅將電極框的材料從哈氏合金變更為鋁，難以實現抑制從高溫的簇射極板到電極法蘭的熱移動的電極框。

發明內容

本發明是考慮到這樣的情況而進行的，提供一種真空處理裝置，該裝置具備能夠以低成本制造且能得到耐腐蝕性并能抑制從高溫的簇射極板到電極法蘭的熱移動的電極框。