[發明專利]真空處理裝置在審
| 申請號: | 202010933390.3 | 申請日: | 2020-09-08 |
| 公開(公告)號: | CN112563158A | 公開(公告)日: | 2021-03-26 |
| 發明(設計)人: | 江藤謙次;神保洋介;山本良明;阿部洋一;宮谷武尚 | 申請(專利權)人: | 株式會社愛發科 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/205;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 崔今花;周艷玲 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 真空 處理 裝置 | ||
1.一種真空處理裝置,對基板進行等離子體處理,包括:
腔室;
與高頻電源連接的電極法蘭;
簇射極板,具有與所述電極法蘭分離并對置的第一面和所述第一面的相反側的第二面,所述簇射極板與所述電極法蘭一起構成陰極,在俯視中形成為矩形形狀;
在所述簇射極板的周圍設置的絕緣屏蔽;
與所述電極法蘭連接且由鋁構造的電極框;
滑動板,安裝在所述簇射極板的所述第一面中的周緣部,根據由所述簇射極板的熱膨脹及熱收縮引起的變形,能夠相對于所述電極框進行滑動,所述滑動板密閉由所述簇射極板、所述電極法蘭與所述電極框包圍的空間;以及
供所述簇射極板的所述第二面露出且供所述基板配置的處理室,
所述電極框具有:
上板部,被安裝在所述電極法蘭上,在俯視中形成為框形狀且具有上外側區域;
下板部,具有與所述滑動板的一部分接觸的接觸面,與所述上板部平行地延伸,在俯視中形成為框形狀且具有下外側區域;以及
縱板部,具有固定在所述上板部的所述上外側區域的上固定端和固定在所述下板部的所述下外側區域的下固定端,所述縱板部從所述下板部向所述上板部豎立設置,并被固定在所述上板部與所述下板部之間,且厚度小于所述上板部和所述下板部的厚度。
2.根據權利要求1所述的真空處理裝置,其中,
在所述上板部的所述上外側區域中設置有在俯視中沿所述框形狀延伸并且供所述縱板部的所述上固定端插入及固定的上槽,
所述縱板部通過在所述上板部的上外側面上形成的上變形部,被固定在所述上槽內,
在所述下板部的所述下外側區域中設置有在俯視中沿所述框形狀延伸并且供所述縱板部的所述下固定端插入及固定的下槽,
所述縱板部通過在所述下板部的下外側面上形成的下變形部,被固定在所述下槽內。
3.根據權利要求2所述的真空處理裝置,其特征在于,
所述縱板部具有在俯視中以沿所述框形狀延伸的方式連接的多個分割板部,
所述縱板部具有:
作為所述多個分割板部之中的一個且具有第一端的第一分割板部;
作為所述多個分割板部之中的一個且具有位于所述第一端的附近的第二端的第二分割板部;以及
作為所述多個分割板部之中的一個且與所述第一端和所述第二端重疊的第三分割板部,
所述第一分割板部、所述第二分割板部和所述第三分割板部被固定在所述上槽和所述下槽。
4.根據權利要求1所述的真空處理裝置,其中,
所述上板部的所述上外側區域具有上外側面,
所述下板部的所述下外側區域具有下外側面,
所述縱板部的所述上固定端被焊接固定在所述上外側面,
所述縱板部的所述下固定端被焊接固定在所述下外側面。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的真空處理裝置,其中,
所述上板部具有位于比所述上外側區域更靠內側的上內側區域,
所述下板部具有位于比所述下外側區域更靠內側的下內側區域,
所述電極框具有被固定在所述上內側區域與所述下內側區域之間并且由陶瓷形成的多個支柱。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





