[發明專利]太陽能單電池

在審

• 申請號: 202010933387.1
• 申請日: 2020-09-08
• 公開（公告）號: CN112490296A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 鶴田晉教
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

本發明提供輸出特性優異的太陽能單電池。實施方式的一例的太陽能單電池包括：n型晶體硅晶片；第1鈍化層；第2鈍化層；n型非晶硅層，其形成于第1鈍化層上；和p型非晶硅層，其形成于第2鈍化層上。在n型非晶硅層的厚度方向上的n型摻雜劑的濃度分布上，在與第1鈍化層的界面處存在峰值，該峰值處的n型摻雜劑的濃度為1×10²⁰～1×10²²atoms/cm³。

技術領域

本公開涉及太陽能單電池。

背景技術

現有技術中，在晶體硅晶片的一個面上隔著鈍化層形成有n型非晶硅層、在晶片的另一個面上隔著鈍化層形成有p型非晶硅層的太陽能單電池廣為人知(例如，參照專利文獻1)。一般而言，在各非晶硅層上隔著透明導電層分別形成有集電極。

此外，專利文獻2公開了一種太陽能單電池，其包括具有從與n型晶體硅晶片的界面附近起沿膜厚方向減少的p型摻雜劑密度分布的非晶硅層。在專利文獻2所公開的p型摻雜劑密度分布上，在n型晶體硅晶片與非晶硅層的界面附近的2nm以內的區域存在峰值部，在峰值部與p型摻雜劑密度分布(density profile)的底部之間存在2個拐點。該情況下，填充因數(FF)得到改善，光電轉換特性提高。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2006-237452號公報

專利文獻2：日本特開2016-219854號公報

發明內容

發明要解決的課題

但是，在太陽能單電池中，在改善晶體硅晶片、鈍化層、和非晶硅層的界面處的鈍化性的同時降低內阻而實現輸出特性的提高尤為重要。在包含專利文獻2中公開的技術的現有的太陽能單電池中，就輸出特性的提高方面尚有改良的余地。

用于解決課題的方法

本公開的太陽能單電池包括：n型晶體硅晶片；第1鈍化層，其形成于所述n型晶體硅晶片的一個面；第2鈍化層，其形成于所述n型晶體硅晶片的另一個面；n型非晶硅層，其形成于所述第1鈍化層上；和p型非晶硅層，其形成于所述第2鈍化層上，所述第1鈍化層由含有與所述n型非晶硅層相比濃度低的n型摻雜劑的非晶硅構成，在所述n型非晶硅層的厚度方向上的n型摻雜劑的濃度分布上，在與所述第1鈍化層的界面處存在峰值，所述峰值處的n型摻雜劑的濃度為1×10²⁰～1×10²²atoms/cm³。

發明的效果

本公開的太陽能單電池的輸出特性優異。根據本公開的太陽能單電池例如能夠在改善晶體硅晶片、鈍化層、和非晶硅層的界面處的鈍化性的同時降低n型非晶硅層與透明導電層的接觸電阻，從而大幅提升輸出特性。

附圖說明

圖1是實施方式的一例的太陽能單電池的截面圖。

圖2是表示實施方式的一例的太陽能單電池的厚度方向上的n型摻雜劑(磷)的濃度分布的圖。

圖3是表示n型摻雜劑的濃度分布的其他例的圖。

圖4是表示實施方式的一例的太陽能單電池的厚度方向上的碳濃度分布的圖。

圖5是用于說明實施方式的一例的太陽能單電池的制造方法的圖。

附圖標記說明

1、2、3、4 真空腔室

10 太陽能單電池

11 n型晶體硅晶片

12 第1鈍化層

13 第2鈍化層