[發明專利]太陽能單電池在審
| 申請號： | 202010933387.1 | 申請日： | 2020-09-08 |
| 公開（公告）號： | CN112490296A | 公開（公告）日： | 2021-03-12 |
| 發明（設計）人： | 鶴田晉教 | 申請（專利權）人： | 松下電器產業株式會社 |
| 主分類號： | H01L31/0216 | 分類號： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 太陽能 電池 | ||
1.一種太陽能單電池，其特征在于，包括：
n型晶體硅晶片；
第1鈍化層，其形成于所述n型晶體硅晶片的一個面；
第2鈍化層，其形成于所述n型晶體硅晶片的另一個面；
n型非晶硅層，其形成于所述第1鈍化層上；和
p型非晶硅層，其形成于所述第2鈍化層上，
所述第1鈍化層由含有濃度比所述n型非晶硅層低的n型摻雜劑的非晶硅構成，
在所述n型非晶硅層的厚度方向上的n型摻雜劑的濃度分布中，在與所述第1鈍化層的界面存在峰值，
所述峰值處的n型摻雜劑的濃度為1×1020～1×1022atoms/cm3。
2.如權利要求1所述的太陽能單電池，其特征在于：
所述n型非晶硅層包括n型摻雜劑的濃度比與所述第1鈍化層的界面高的區域。
3.如權利要求1所述的太陽能單電池，其特征在于：
在所述n型非晶硅層的厚度方向上的n型摻雜劑的濃度分布上存在n型摻雜劑的濃度最低的底部，
所述峰值和所述底部處的n型摻雜劑的濃度差為1×1020atoms/cm3以上。
4.如權利要求2所述的太陽能單電池，其特征在于：
在所述n型非晶硅層的厚度方向上的n型摻雜劑的濃度分布上存在n型摻雜劑的濃度最低的底部，
所述峰值和所述底部處的n型摻雜劑的濃度差為1×1020atoms/cm3以上。
5.如權利要求1～4中任一項所述的太陽能單電池，其特征在于：
在所述n型非晶硅層的厚度方向上的碳的濃度分布上，在與所述第1鈍化層的界面處存在峰值。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
