[發明專利]激光束退火裝置在審
| 申請號: | 202010933338.8 | 申請日: | 2020-09-08 |
| 公開(公告)號: | CN113644006A | 公開(公告)日: | 2021-11-12 |
| 發明(設計)人: | 車載賢;樸美敬;李感察;全文煐;崔京植 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;C30B28/02;C30B29/06 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 李盛泉;劉燦強 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光束 退火 裝置 | ||
本發明涉及能夠呈現高品質的多晶硅層的激光束退火裝置,提供一種激光束退火裝置,配備有:激光束源,能夠發出激光束;均化器,位于從所述激光束源發出的激光束的光路徑上;投影透鏡部,位于通過所述均化器的激光束的光路徑上;密封殼體,收納所述投影透鏡部,并且具有能夠使通過所述投影透鏡部的激光束通過的密封開口;密封透鏡,位于所述密封開口,具有凸透鏡和凹透鏡中的任意一個;退火殼體,收納待退火的基板,并且具有能夠使通過所述密封透鏡的激光束通過的退火開口;以及退火透鏡,位于所述退火開口,具有所述凸透鏡和凹透鏡中的另一個。
技術領域
本發明的實施例涉及激光束退火裝置及利用其的顯示裝置制造方法,更加詳細地,涉及能夠呈現高品質的多晶硅層的激光束退火裝置及利用其的顯示裝置制造方法。
背景技術
通常,對于諸如有機發光顯示裝置等的顯示裝置而言,會經過在基板上形成多個薄膜晶體管的過程。薄膜晶體管配備有半導體層、源電極、漏電極以及柵電極等,對于半導體層而言,可以包括使非晶硅層晶化而形成的多晶硅層。
在這樣的顯示裝置的制造過程中,會為了形成多晶硅層而將非晶硅層晶化,為此,會利用向非晶硅層照射激光束的激光退火方法。
發明內容
然而,對于這種為了晶化非晶硅層而使用的以往的激光束退火裝置而言,具有無法形成高品質的多晶硅層的問題。
本發明用于解決包括如上所述的問題的多種問題,其目的在于提供一種能夠呈現高品質的多晶硅層的激光束退火裝置及利用其的顯示裝置制造方法。然而,這種課題僅為示例性的,本發明的范圍并不限于此。
根據本發明的一觀點,提供一種激光束退火裝置,配備有:激光束源,能夠發出激光束;均化器,位于從所述激光束源發出的激光束的光路徑上;投影透鏡部,位于通過所述均化器的激光束的光路徑上;密封殼體,收納所述投影透鏡部,并且具有能夠使通過所述投影透鏡部的激光束通過的密封開口;密封透鏡,位于所述密封開口,具有凸透鏡和凹透鏡中的任意一個;退火殼體,收納待退火的基板,并且具有能夠使通過所述密封透鏡的激光束通過的退火開口;以及退火透鏡,位于所述退火開口,具有所述凸透鏡和凹透鏡中的另一個。
還可以配備有:密封遮蔽部,遮蔽所述密封殼體和所述密封透鏡之間的空間,且具有柔性。
還可以配備有:退火遮蔽部,遮蔽所述退火殼體和所述退火透鏡之間的空間,且具有柔性
還可以配備有:密封驅動器,為了改變向所述密封透鏡入射的激光束的入射角而能夠移動所述密封透鏡。
還可以配備有:密封驅動器,為了改變向所述密封透鏡入射的激光束的入射角而能夠旋轉所述密封透鏡。
所述密封透鏡可以是圓柱形透鏡(cylindrical lens)。
還可以配備有:退火驅動器,為了改變向所述退火透鏡入射的激光束的入射角而能夠移動所述退火透鏡。
還可以配備有:退火驅動器,為了改變向所述退火透鏡入射的激光束的入射角而能夠旋轉所述退火透鏡。
所述退火透鏡可以是圓柱形透鏡(cylindrical lens)。
還可以配備有:密封驅動器,為了改變向所述密封透鏡入射的激光束的入射角而能夠移動所述密封透鏡;以及退火驅動器,為了改變向所述退火透鏡入射的激光束的入射角而能夠移動所述退火透鏡,其中,所述密封驅動器可以以如下方式移動所述密封透鏡:在所述退火驅動器移動所述退火透鏡時使與所述密封透鏡的中心軸垂直的虛擬的第一平面與垂直于所述退火透鏡的中心軸的虛擬的第二平面平行。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星顯示有限公司,未經三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010933338.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:車輛的車門打開和關閉輔助裝置
- 下一篇:圖像傳感器
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





