[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010933260.X | 申請日： | 2020-09-08 |
| 公開（公告）號： | CN113311536B | 公開（公告）日： | 2023-10-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳怡臻;曾李全;林詩瑋 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | G02B6/12 | 分類號： | G02B6/12;G02B6/13;G02B6/132 |
| 代理公司： | 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 及其 制作方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
波導(dǎo)，位于襯底之上；
第一介電結(jié)構(gòu)，位于所述襯底之上，其中所述波導(dǎo)的一部分位于所述第一介電結(jié)構(gòu)中；以及
第二介電結(jié)構(gòu)，位于所述波導(dǎo)下方，其中所述第二介電結(jié)構(gòu)的第一側(cè)壁鄰近所述襯底的第一側(cè)壁。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中在所述第一介電結(jié)構(gòu)與所述襯底之間設(shè)置有空隙。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，包括：
第三介電結(jié)構(gòu)，位于所述波導(dǎo)下方，其中所述第三介電結(jié)構(gòu)的第一側(cè)壁鄰近所述襯底的第二側(cè)壁。
4.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：
在襯底之上形成第一介電結(jié)構(gòu)，其中波導(dǎo)的一部分位于所述第一介電結(jié)構(gòu)中；
在所述波導(dǎo)下方形成第二介電結(jié)構(gòu)，其中：
所述襯底的第一部分鄰近所述第二介電結(jié)構(gòu)的第一側(cè)；及
所述襯底的第二部分鄰近所述第二介電結(jié)構(gòu)的第二側(cè)；以及
移除所述襯底的所述第一部分以在所述第一介電結(jié)構(gòu)與所述襯底之間產(chǎn)生空隙，其中所述第二介電結(jié)構(gòu)抑制對所述襯底的所述第二部分的移除。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述形成半導(dǎo)體器件的方法，其中形成所述第二介電結(jié)構(gòu)包括：
在所述襯底中形成第一溝槽；以及
用第一介電材料填充所述第一溝槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述形成半導(dǎo)體器件的方法，其中形成所述第一介電結(jié)構(gòu)包括：
在所述襯底之上形成第一介電層；
在所述第一介電層之上形成所述波導(dǎo)；
在所述第一介電層之上形成第二介電層；以及
圖案化所述第一介電層及所述第二介電層以形成所述第一介電結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：
在所述波導(dǎo)下方形成第三介電結(jié)構(gòu)，其中：
所述襯底的所述第一部分鄰近所述第三介電結(jié)構(gòu)的第一側(cè)；
所述襯底的所述第二部分鄰近所述第三介電結(jié)構(gòu)的第二側(cè)；及
當(dāng)所述襯底的所述第一部分被移除時，所述第三介電結(jié)構(gòu)抑制對所述襯底的所述第二部分的移除。
8.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：
在襯底中形成第一溝槽；
在所述第一溝槽中形成第一介電結(jié)構(gòu)，其中：
所述襯底的第一部分鄰近所述第一介電結(jié)構(gòu)的第一側(cè)；及
所述襯底的第二部分鄰近所述第一介電結(jié)構(gòu)的第二側(cè)；
在所述襯底的所述第一部分及所述襯底的所述第二部分之上形成第二介電結(jié)構(gòu)，其中波導(dǎo)的一部分位于所述第二介電結(jié)構(gòu)中；以及
移除所述襯底的所述第一部分以在所述第二介電結(jié)構(gòu)與所述襯底之間產(chǎn)生空隙，其中所述第一介電結(jié)構(gòu)抑制對所述襯底的所述第二部分的移除。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述形成半導(dǎo)體器件的方法，其中形成所述第二介電結(jié)構(gòu)包括：
在所述襯底的所述第一部分及所述襯底的所述第二部分之上形成第一介電層；
在所述第一介電層之上形成所述波導(dǎo)；
在所述第一介電層之上形成第二介電層；以及
圖案化所述第一介電層及所述第二介電層以形成所述第二介電結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：
在所述襯底中形成第二溝槽；以及
在所述第二溝槽中形成第三介電結(jié)構(gòu)，其中：
所述襯底的所述第一部分鄰近所述第三介電結(jié)構(gòu)的第一側(cè)；
所述襯底的所述第二部分鄰近所述第三介電結(jié)構(gòu)的第二側(cè)；及
當(dāng)所述襯底的所述第一部分被移除時，所述第三介電結(jié)構(gòu)抑制對所述襯底的所述第二部分的移除。
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