[發明專利]一種數字控制的亞閾值環形振蕩器有效
| 申請號： | 202010927564.5 | 申請日： | 2020-09-07 |
| 公開（公告）號： | CN111953343B | 公開（公告）日： | 2023-05-30 |
| 發明（設計）人： | 胡曉宇;袁甲;于增輝;凌康 | 申請（專利權）人： | 北京中科芯蕊科技有限公司 |
| 主分類號： | H03L7/099 | 分類號： | H03L7/099 |
| 代理公司： | 北京高沃律師事務所 11569 | 代理人： | 劉鳳玲 |
| 地址： | 100092 北京市海淀區*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 數字控制 閾值 環形 振蕩器 | ||
1.一種數字控制的亞閾值環形振蕩器，其特征在于，所述亞閾值環形振蕩器，包括：
反相器鏈、PMOS陣列、NMOS陣列、反相器陣列和第一反相器；
所述反相器陣列的輸入端口與所述NMOS陣列的輸入端口連接；所述反相器陣列的輸出端口與所述PMOS陣列的輸入端口連接；所述反相器陣列用于接收控制信號并將所述控制信號進行相位反轉，得到反相后的控制信號；
所述NMOS陣列的低電平端口接地；所述NMOS陣列的高電平端口與所述反相器鏈的低電平端口連接；所述NMOS陣列用于接收所述控制信號并根據所述控制信號調節所述反相器鏈的低電平端口電壓；
所述PMOS陣列的高電平端口用于接收高電平信號；所述PMOS陣列的低電平端口與所述反相器鏈的高電平端口連接；所述PMOS陣列用于接收所述反相后的控制信號并根據所述反相后的控制信號調節所述反相器鏈的高電平端口電壓；
所述反相器鏈的輸出端口和所述反相器鏈的輸入端口均與所述PMOS陣列的低電平端口連接；所述反相器鏈的輸出端口還與所述第一反相器的輸入端連接；所述反相器鏈用于生成時鐘信號；
所述第一反相器用于恢復所述時鐘信號的擺幅。
2.根據權利要求1所述的數字控制的亞閾值環形振蕩器，其特征在于，所述NMOS陣列，包括：
多個NMOS晶體管；每一個所述NMOS晶體管的源極均接地；每一個所述NMOS晶體管的漏極均與所述反相器鏈的低電平端口連接；每一個所述NMOS晶體管的柵極均與所述反相器陣列的輸入端口連接。
3.根據權利要求2所述的數字控制的亞閾值環形振蕩器，其特征在于，所述PMOS陣列，包括：
多個PMOS晶體管；每一個所述PMOS晶體管的源極均用于接收高電平信號；
每一個所述PMOS晶體管的漏極均與所述反相器鏈的高電平端口連接；每一個所述PMOS晶體管的柵極均與所述反相器陣列的輸出端口連接。
4.根據權利要求3所述的數字控制的亞閾值環形振蕩器，其特征在于，所述反相器陣列，包括：
多個第二反相器；
一個所述第二反相器的輸入端僅與一個所述NMOS晶體管的柵極連接；
一個所述第二反相器的輸出端僅與一個所述PMOS晶體管的柵極連接。
5.根據權利要求4所述的數字控制的亞閾值環形振蕩器，其特征在于，所述NMOS晶體管的數量、所述PMOS晶體管的數量和所述第二反相器的數量相等。
6.根據權利要求4所述的數字控制的亞閾值環形振蕩器，其特征在于，所述NMOS晶體管的數量、所述PMOS晶體管的數量和所述第二反相器的數量均根據所述控制信號的位寬確定。
7.根據權利要求5所述的數字控制的亞閾值環形振蕩器，其特征在于，所述反相器鏈包括多個第三反相器；多個所述第三反相器級聯。
8.根據權利要求7所述的數字控制的亞閾值環形振蕩器，其特征在于，所述NMOS晶體管的數量、所述PMOS晶體管的數量、所述第二反相器的數量和所述第三反相器的數量均為奇數。
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