[發(fā)明專利]一種光感應器件及其制作方法、顯示面板

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• 申請日: 2020-09-07
• 公開（公告）號: CN112086561A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發(fā)明（設計）人: 王海軍
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/48;G02F1/1362
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

1.一種光感應器件，其特征在于，包括：

基板；

位于所述基板上的光電薄膜晶體管，所述光電薄膜晶體管包括第一有源層；

位于所述基板上且與所述光電薄膜晶體管連接的開關薄膜晶體管，所述開關薄膜晶體管包括第二有源層；

其中，所述第一有源層包括第一銦鎵鋅氧化物層和位于所述第一銦鎵鋅氧化物層上的鈣鈦礦層，所述第二有源層包括第二銦鎵鋅氧化物層。

2.根據(jù)權利要求1所述的光感應器件，其特征在于，所述第一有源層還包括位于所述鈣鈦礦層上的第一石墨烯層。

3.根據(jù)權利要求1所述的光感應器件，其特征在于，所述第二有源層還包括位于所述第二銦鎵鋅氧化物層上的第二石墨烯層。

4.根據(jù)權利要求1所述的光感應器件，其特征在于，所述光電薄膜晶體管包括：位于所述基板上的第一底柵極，覆蓋所述第一底柵極的絕緣層，位于所述絕緣層上的所述第一有源層，位于所述絕緣層上與所述第一有源層兩端連接的第一源極和第一漏極，覆蓋所述第一有源層、第一源極、及第一漏極的平坦層。

5.根據(jù)權利要求4所述的光感應器件，其特征在于，所述開關薄膜晶體管包括：位于所述基板上的第二底柵極，覆蓋所述第二底柵極的所述絕緣層，位于所述絕緣層上的所述第二有源層，位于所述絕緣層上與所述第二有源層兩端連接的第二源極和第二漏極，覆蓋所述第二有源層、第二源極、及第二漏極的所述平坦層；所述第二源極與所述第一漏極連接。

6.根據(jù)權利要求4所述的光感應器件，其特征在于，所述光電薄膜晶體管還包括位于所述平坦層上且與所述第一有源層對應的第一頂柵極。

7.根據(jù)權利要求1所述的光感應器件，其特征在于，還包括位于所述基板上的存儲電容結構，所述存儲電容結構與所述光電薄膜晶體管和/或開關薄膜晶體管電連接。

8.一種光感應器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板上形成第一底柵極、第二底柵極、及覆蓋所述第一底柵極和第二底柵極的絕緣層；

在所述絕緣層上形成與所述第一底柵極和第二底柵極對應的第一銦鎵鋅氧化物層和第二銦鎵鋅氧化物層；

在所述第一銦鎵鋅氧化物層上形成鈣鈦礦層，所述第一銦鎵鋅氧化物層和鈣鈦礦層組成第一有源層，所述第二銦鎵鋅氧化物層組成第二有源層；

在所述絕緣層上形成圖案化金屬層，作為與所述第一有源層兩端連接的第一源極和第一漏極、及與所述第二有源層兩端連接的第二源極和第二漏極，以形成光電薄膜晶體管和與所述光電薄膜晶體管連接的開關薄膜晶體管。

9.根據(jù)權利要求8所述的光感應器件的制作方法，其特征在于，在所述第一銦鎵鋅氧化物層上形成鈣鈦礦層的步驟，包括：

在所述第一銦鎵鋅氧化物層、第二銦鎵鋅氧化物層、及絕緣層上沉積鈣鈦礦材料；

在對應所述第一銦鎵鋅氧化物層的所述鈣鈦礦材料上方制備光刻膠層；

基于所述光刻膠層對所述鈣鈦礦材料進行蝕刻，以形成所述鈣鈦礦層。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括液晶面板、及位于所述液晶面板上如權利要求1-7任一項所述的光感應器件。