[發明專利]用于處理基板的裝置和方法在審
| 申請號: | 202010925720.4 | 申請日: | 2020-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN112439737A | 公開(公告)日: | 2021-03-05 |
| 發明(設計)人: | 李茂賢;方炳善;金俙煥 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | B08B3/02 | 分類號: | B08B3/02;B08B3/08;B08B13/00;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京市中倫律師事務所 11410 | 代理人: | 楊黎峰;趙瑞 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 處理 裝置 方法 | ||
一種用于處理基板的方法,包括:液體處理步驟,其通過將處理液分配到旋轉的基板上而對所述基板執行液體處理;以及清潔步驟,其停止分配所述處理液并將清潔溶液分配到所述基板上。在所述清潔步驟中,將第一液體從旋轉的基板上方的第一噴嘴分配到在第一方向上與所述基板的中心隔開的點,并且將第二液體從旋轉的基板上方的第二噴嘴分配到在第二方向上與所述基板的中心隔開的點。當從上方觀察時,所述第一液體在分配到所述基板上后朝向所述第二噴嘴流動,并且所述第二液體在分配到所述基板上后朝向所述第一噴嘴流動。
技術領域
本文描述的發明構思的實施例涉及用于處理基板的裝置和方法,并且更具體地涉及用于通過將液體分配到基板上來對基板進行液體處理的基板處理裝置和方法。
背景技術
執行諸如光刻、沉積、灰化、蝕刻、離子注入等的各種工序以制造半導體元件。在這些工序之前和之后,執行清潔工序以去除殘留在基板上的顆粒。
清潔工序包括如下工序:將化學制品分配到支撐在旋轉頭上的旋轉基板上;通過將清潔溶液(例如去離子水(DIW))分配到基板上而去除基板上的化學制品;通過將有機溶劑(例如異丙醇(IPA))分配到基板上來將基板上的清潔溶液替換為有機溶劑,其中,有機溶劑的表面張力低于清潔溶液的表面張力;以及從基板去除有機溶劑。在清潔工序中,為了防止基板被干燥,在分配化學制品之前和之后,將去離子水分配到基板上。
清潔工序是通過將各種液體通過噴嘴分配到基板上來進行的,該基板在其中處理基板的杯狀件中旋轉。噴嘴在處理位置和備用位置之間移動。處理位置是噴嘴位于基板上方以在基板上進行液體處理的位置。備用位置是不對基板進行液體處理的噴嘴待機以不妨礙對基板進行液體處理的噴嘴的位置。
當已經分配液體的噴嘴從處理位置移動到備用位置,然后用于分配另一液體的噴嘴從備用位置移動到處理位置時,固定在杯狀件上的噴嘴將去離子水分配到基板W上,以防止基板W被自然干燥。替選地,固定在杯狀件上的噴嘴將去離子水分配到基板上,以在用化學制品處理基板之后去除基板上的化學制品。
在現有技術中,如圖1所示,兩個噴嘴21和23將去離子水分配到旋轉的基板W的中心區域P1和中間區域P2上。由于分配到中心區域P1上的去離子水和分配到中間區域P2上的去離子水通過基板W的旋轉而沿同一方向流動,因此分配到中心區域P1上的去離子水與分配到中間區域P2上的去離子水在流向基板W的邊緣區域的同時碰撞。隨著分配到中心區域P1的去離子水流向基板W的邊緣區域,分配到中心區域P1的去離子水的旋轉動能增加,因此,分配到中間區域P2上的去離子水通過碰撞被拋向基板W的外側。
因此,基板W的部分區域可以被干燥而沒有被潤濕。此外,可以提高由于碰撞而拋出的去離子水的水平,并且如圖2所示,去離子水在與支撐基板W的側面的卡盤銷10碰撞之后可以散布到基板W的外部。
因為去離子水在替換化學制品的過程中包含化學制品,所以散布的去離子水可能污染腔室內部,并且從碗狀件反彈的去離子水可能再次粘附到基板W上。
發明內容
本發明構思的實施例提供了用于提高基板清潔效率的基板處理裝置和方法。
本發明構思的實施例提供了用于防止分配到基板上的不同位置的去離子水碰撞的基板處理裝置和方法。
本發明構思的實施例提供了用于防止腔室或腔室中的部件被分配到基板上的清潔溶液污染的基板處理裝置和方法。
本發明構思要解決的技術問題不限于上述問題,并且本發明構思所屬領域的技術人員從以下描述中將清楚地理解本文中未提及的任何其他技術問題。
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