[發(fā)明專利]一種研磨時(shí)間控制方法、裝置、設(shè)備及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010924345.1
• 申請(qǐng)日: 2020-09-04
• 公開（公告）號(hào): CN112233975A
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫銘澤;崔凱;李婷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京爍科精微電子裝備有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/306
• 分類號(hào): H01L21/306;H01L21/67
• 代理公司: 北京三聚陽光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 馬永芬

本發(fā)明公開了一種研磨時(shí)間控制方法、裝置、設(shè)備及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，該方法包括：獲取在第二拋光盤上的實(shí)際研磨時(shí)間超出預(yù)設(shè)研磨時(shí)間的待研磨物質(zhì)數(shù)目；判斷待研磨物質(zhì)數(shù)目是否達(dá)到預(yù)設(shè)值；當(dāng)待研磨物質(zhì)數(shù)目到達(dá)預(yù)設(shè)值時(shí)，對(duì)待研磨物質(zhì)在第一拋光盤上的初始研磨時(shí)間進(jìn)行調(diào)整。通過實(shí)施本發(fā)明，保證了待研磨物質(zhì)在第二拋光盤的研磨時(shí)間處于預(yù)設(shè)研磨時(shí)間范圍內(nèi)，提高了待研磨物質(zhì)的研磨效率，降低了加工成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種研磨時(shí)間控制方法、裝置、設(shè)備及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體集成電路(Integrated circuit，IC)制造技術(shù)的不斷發(fā)展，最小線寬越來越小，互連層數(shù)越來越多，晶圓直徑不斷増大，若要實(shí)現(xiàn)多層布線，晶圓表面必須具有極高的平整度、光滑度和潔凈度。現(xiàn)有技術(shù)中，為保證晶圓表面具有極高的平整度、光滑度和潔凈度，通常通過將不同產(chǎn)品放在同一個(gè)化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical mechanicalpolishing,CMP)機(jī)臺(tái)上，采用終點(diǎn)檢測(cè)檢測(cè)技術(shù)(endpoint detection，簡(jiǎn)稱EPD)進(jìn)行研磨以控制研磨去除量的精確性。然而，由于同一種產(chǎn)品采用同樣的EPD算法導(dǎo)致不同批次的被研磨產(chǎn)品的厚度存在差異，可能超出EPD所能覆蓋的時(shí)間范圍；伴隨著研磨耗材的消耗或者耗材批次的不同，研磨速率會(huì)產(chǎn)生變化，也可能超出EPD所能覆蓋的時(shí)間范圍。如果研磨時(shí)間超出EPD所能覆蓋的時(shí)間范圍，則需要根據(jù)后續(xù)測(cè)量得到的厚度，重新進(jìn)行加工，進(jìn)而增加了生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)中研磨時(shí)間超出EPD覆蓋范圍而導(dǎo)致生產(chǎn)成本增加的缺陷，從而提供一種研磨時(shí)間控制方法、裝置、設(shè)備及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。

根據(jù)第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種研磨時(shí)間控制方法，包括：獲取在第二拋光盤上的實(shí)際研磨時(shí)間超出預(yù)設(shè)研磨時(shí)間的待研磨物質(zhì)數(shù)目；判斷所述待研磨物質(zhì)數(shù)目是否達(dá)到預(yù)設(shè)值；當(dāng)所述待研磨物質(zhì)數(shù)目到達(dá)所述預(yù)設(shè)值時(shí)，對(duì)所述待研磨物質(zhì)在第一拋光盤上的初始研磨時(shí)間進(jìn)行調(diào)整。

結(jié)合第一方面，在第一方面的第一實(shí)施方式中，當(dāng)所述預(yù)設(shè)研磨時(shí)間為在所述第二拋光盤上的最小研磨時(shí)間時(shí)，所述獲取待研磨物質(zhì)在第二拋光盤上的實(shí)際研磨時(shí)間超出預(yù)設(shè)研磨時(shí)間的待研磨物質(zhì)數(shù)目，包括：判斷所述實(shí)際研磨時(shí)間是否小于最小研磨時(shí)間；統(tǒng)計(jì)所述實(shí)際研磨時(shí)間小于所述最小研磨時(shí)間的待研磨物質(zhì)數(shù)目。

結(jié)合第一方面第一實(shí)施方式，在第一方面的第二實(shí)施方式中，所述對(duì)所述待研磨物質(zhì)在第一拋光盤上的初始研磨時(shí)間進(jìn)行調(diào)整，包括：在所述初始研磨時(shí)間上減少時(shí)間調(diào)節(jié)量。

結(jié)合第一方面，在第一方面的第三實(shí)施方式中，當(dāng)所述預(yù)設(shè)研磨時(shí)間為在所述第二拋光盤上的最大研磨時(shí)間時(shí)，所述獲取待研磨物質(zhì)在第二拋光盤上的實(shí)際研磨時(shí)間超出預(yù)設(shè)研磨時(shí)間的待研磨物質(zhì)數(shù)目，包括：判斷所述實(shí)際研磨時(shí)間是否大于最大研磨時(shí)間；統(tǒng)計(jì)所述實(shí)際研磨時(shí)間大于所述最大研磨時(shí)間的待研磨物質(zhì)數(shù)目。

結(jié)合第一方面第三實(shí)施方式，在第一方面的第四實(shí)施方式中，所述對(duì)所述待研磨物質(zhì)在第一拋光盤上的初始研磨時(shí)間進(jìn)行調(diào)整包括：在所述初始研磨時(shí)間上增加時(shí)間調(diào)節(jié)量。

結(jié)合第一方面，在第一方面的第五實(shí)施方式中，還包括：獲取所述待研磨物質(zhì)在所述第一拋光盤上的第一標(biāo)準(zhǔn)去除率以及在所述第二拋光盤上的第二標(biāo)準(zhǔn)去除率；根據(jù)所述第一標(biāo)準(zhǔn)去除率、所述第二標(biāo)準(zhǔn)去除率、最小研磨時(shí)間和最大研磨時(shí)間，確定所述初始研磨時(shí)間的時(shí)間調(diào)節(jié)量。

結(jié)合第一方面第五實(shí)施方式，在第一方面的第六實(shí)施方式中，根據(jù)所述第一標(biāo)準(zhǔn)去除率、所述第二標(biāo)準(zhǔn)去除率、所述最小研磨時(shí)間和所述最大研磨時(shí)間，確定所述初始研磨時(shí)間的時(shí)間調(diào)節(jié)量，包括：

其中，t時(shí)間調(diào)節(jié)量；T_max為最大研磨時(shí)間；T_min為最小研磨時(shí)間；R₁為第一標(biāo)準(zhǔn)去除率；R₂為第二標(biāo)準(zhǔn)去除率；k為比例系數(shù)。