[發(fā)明專利]一種研磨時間控制方法、裝置、設(shè)備及可讀存儲介質(zhì)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010924345.1
• 申請日: 2020-09-04
• 公開（公告）號: CN112233975A
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孫銘澤;崔凱;李婷
• 申請（專利權(quán)）人: 北京爍科精微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/67
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 馬永芬

本發(fā)明公開了一種研磨時間控制方法、裝置、設(shè)備及可讀存儲介質(zhì)，其中，該方法包括：獲取在第二拋光盤上的實際研磨時間超出預設(shè)研磨時間的待研磨物質(zhì)數(shù)目；判斷待研磨物質(zhì)數(shù)目是否達到預設(shè)值；當待研磨物質(zhì)數(shù)目到達預設(shè)值時，對待研磨物質(zhì)在第一拋光盤上的初始研磨時間進行調(diào)整。通過實施本發(fā)明，保證了待研磨物質(zhì)在第二拋光盤的研磨時間處于預設(shè)研磨時間范圍內(nèi)，提高了待研磨物質(zhì)的研磨效率，降低了加工成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導體工藝制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種研磨時間控制方法、裝置、設(shè)備及可讀存儲介質(zhì)。

背景技術(shù)

隨著半導體集成電路(Integrated circuit，IC)制造技術(shù)的不斷發(fā)展，最小線寬越來越小，互連層數(shù)越來越多，晶圓直徑不斷増大，若要實現(xiàn)多層布線，晶圓表面必須具有極高的平整度、光滑度和潔凈度。現(xiàn)有技術(shù)中，為保證晶圓表面具有極高的平整度、光滑度和潔凈度，通常通過將不同產(chǎn)品放在同一個化學機械拋光(Chemical mechanicalpolishing,CMP)機臺上，采用終點檢測檢測技術(shù)(endpoint detection，簡稱EPD)進行研磨以控制研磨去除量的精確性。然而，由于同一種產(chǎn)品采用同樣的EPD算法導致不同批次的被研磨產(chǎn)品的厚度存在差異，可能超出EPD所能覆蓋的時間范圍；伴隨著研磨耗材的消耗或者耗材批次的不同，研磨速率會產(chǎn)生變化，也可能超出EPD所能覆蓋的時間范圍。如果研磨時間超出EPD所能覆蓋的時間范圍，則需要根據(jù)后續(xù)測量得到的厚度，重新進行加工，進而增加了生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)中研磨時間超出EPD覆蓋范圍而導致生產(chǎn)成本增加的缺陷，從而提供一種研磨時間控制方法、裝置、設(shè)備及可讀存儲介質(zhì)。

根據(jù)第一方面，本發(fā)明實施例提供一種研磨時間控制方法，包括：獲取在第二拋光盤上的實際研磨時間超出預設(shè)研磨時間的待研磨物質(zhì)數(shù)目；判斷所述待研磨物質(zhì)數(shù)目是否達到預設(shè)值；當所述待研磨物質(zhì)數(shù)目到達所述預設(shè)值時，對所述待研磨物質(zhì)在第一拋光盤上的初始研磨時間進行調(diào)整。

結(jié)合第一方面，在第一方面的第一實施方式中，當所述預設(shè)研磨時間為在所述第二拋光盤上的最小研磨時間時，所述獲取待研磨物質(zhì)在第二拋光盤上的實際研磨時間超出預設(shè)研磨時間的待研磨物質(zhì)數(shù)目，包括：判斷所述實際研磨時間是否小于最小研磨時間；統(tǒng)計所述實際研磨時間小于所述最小研磨時間的待研磨物質(zhì)數(shù)目。

結(jié)合第一方面第一實施方式，在第一方面的第二實施方式中，所述對所述待研磨物質(zhì)在第一拋光盤上的初始研磨時間進行調(diào)整，包括：在所述初始研磨時間上減少時間調(diào)節(jié)量。

結(jié)合第一方面，在第一方面的第三實施方式中，當所述預設(shè)研磨時間為在所述第二拋光盤上的最大研磨時間時，所述獲取待研磨物質(zhì)在第二拋光盤上的實際研磨時間超出預設(shè)研磨時間的待研磨物質(zhì)數(shù)目，包括：判斷所述實際研磨時間是否大于最大研磨時間；統(tǒng)計所述實際研磨時間大于所述最大研磨時間的待研磨物質(zhì)數(shù)目。

結(jié)合第一方面第三實施方式，在第一方面的第四實施方式中，所述對所述待研磨物質(zhì)在第一拋光盤上的初始研磨時間進行調(diào)整包括：在所述初始研磨時間上增加時間調(diào)節(jié)量。

結(jié)合第一方面，在第一方面的第五實施方式中，還包括：獲取所述待研磨物質(zhì)在所述第一拋光盤上的第一標準去除率以及在所述第二拋光盤上的第二標準去除率；根據(jù)所述第一標準去除率、所述第二標準去除率、最小研磨時間和最大研磨時間，確定所述初始研磨時間的時間調(diào)節(jié)量。

結(jié)合第一方面第五實施方式，在第一方面的第六實施方式中，根據(jù)所述第一標準去除率、所述第二標準去除率、所述最小研磨時間和所述最大研磨時間，確定所述初始研磨時間的時間調(diào)節(jié)量，包括：

其中，t時間調(diào)節(jié)量；T_max為最大研磨時間；T_min為最小研磨時間；R₁為第一標準去除率；R₂為第二標準去除率；k為比例系數(shù)。