[發明專利]一種研磨時間控制方法、裝置、設備及可讀存儲介質在審
| 申請號: | 202010924345.1 | 申請日: | 2020-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN112233975A | 公開(公告)日: | 2021-01-15 |
| 發明(設計)人: | 孫銘澤;崔凱;李婷 | 申請(專利權)人: | 北京爍科精微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/306 | 分類號: | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人: | 馬永芬 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 研磨 時間 控制 方法 裝置 設備 可讀 存儲 介質 | ||
1.一種研磨時間控制方法,其特征在于,包括:
獲取在第二拋光盤上的實際研磨時間超出預設研磨時間的待研磨物質數目;
判斷所述待研磨物質數目是否達到預設值;
當所述待研磨物質數目到達所述預設值時,對所述待研磨物質在第一拋光盤上的初始研磨時間進行調整。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,當所述預設研磨時間為在所述第二拋光盤上的最小研磨時間時,所述獲取待研磨物質在第二拋光盤上的實際研磨時間超出預設研磨時間的待研磨物質數目,包括:
判斷所述實際研磨時間是否小于最小研磨時間;
統計所述實際研磨時間小于所述最小研磨時間的待研磨物質數目。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述對所述待研磨物質在第一拋光盤上的初始研磨時間進行調整,包括:
在所述初始研磨時間上減少時間調節量。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,當所述預設研磨時間為在所述第二拋光盤上的最大研磨時間時,所述獲取待研磨物質在第二拋光盤上的實際研磨時間超出預設研磨時間的待研磨物質數目,包括:
判斷所述實際研磨時間是否大于最大研磨時間;
統計所述實際研磨時間大于所述最大研磨時間的待研磨物質數目。
5.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,所述對所述待研磨物質在第一拋光盤上的初始研磨時間進行調整包括:
在所述初始研磨時間上增加時間調節量。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,還包括:
獲取所述待研磨物質在所述第一拋光盤上的第一標準去除率以及在所述第二拋光盤上的第二標準去除率;
根據所述第一標準去除率、所述第二標準去除率、最小研磨時間和最大研磨時間,確定所述初始研磨時間的時間調節量。
7.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,根據所述第一標準去除率、所述第二標準去除率、最小研磨時間和最大研磨時間,確定所述初始研磨時間的時間調節量,包括:
其中,t時間調節量;Tmax為最大研磨時間;Tmin為最小研磨時間;R1為第一標準去除率;R2為第二標準去除率;k為比例系數。
8.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,還包括:
當所述待研磨物質在第二拋光盤上的實際研磨時間超出預設研磨時間時,發出報警信息。
9.一種研磨時間控制裝置,其特征在于,包括:
獲取模塊,用于獲取在第二拋光盤上的實際研磨時間超出預設研磨時間的待研磨物質數目;
判斷模塊,用于判斷所述待研磨物質數目是否達到預設值;
調整模塊,用于當所述待研磨物質數目到達所述預設值時,對所述待研磨物質在第一拋光盤上的初始研磨時間進行調整。
10.一種計算機設備,其特征在于,包括:存儲器和處理器,所述存儲器和所述處理器之間互相通信連接,所述存儲器中存儲有計算機指令,所述處理器通過執行所述計算機指令,從而執行權利要求1-8中任一項所述的研磨時間控制方法。
11.一種計算機可讀存儲介質,其特征在于,所述計算機可讀存儲介質存儲有計算機指令,所述計算機指令用于使所述計算機執行權利要求1-8中任一項所述的研磨時間控制方法。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





