[發明專利]一種硅片熱氧化濕氧工藝在審
| 申請號： | 202010923895.1 | 申請日： | 2020-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN111986993A | 公開（公告）日： | 2020-11-24 |
| 發明（設計）人： | 仝泉;周曉飛;田獻立;劉麗娟 | 申請（專利權）人： | 麥斯克電子材料有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/316 | 分類號： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 洛陽公信知識產權事務所(普通合伙) 41120 | 代理人： | 衛煜睿 |
| 地址： | 471000 河南省洛*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 硅片 氧化 工藝 | ||
1.一種硅片熱氧化濕氧工藝，其特征在于：該濕氧工藝用到的系統包括氧化爐爐管（1）、氣體噴頭（2）、計量泵（3）、氮氣罐（4）、氧氣罐（5），所述氧化爐爐管（1）的后部設有相連的氣體噴頭（2）和計量泵（3）；
該濕氧工藝包括以下步驟：
S1：在系統中設置PFA高純水容器（6）；
S2：所述PFA高純水容器（6）上設有一進氣口，在進氣口內設有高效過濾器，PFA高純水容器（6）的其他地方進行密閉處理；
S3：在系統內設置所述氣體噴頭（2），氣體噴頭（2）連通在氧化爐爐管（1）的后端；
S4：在系統中設置計量泵（3），通過控制模塊與系統連接來自動控制計量泵（3）啟停，控制模塊實時調整計量泵（3）的流量來控制濕氧過程注入純水的量，進而控制硅片表面氧化膜的生長厚度；
S5：所述計量泵（3）將高純水注入氧氣氣體連通管路，通過所述氣體噴頭（2）將高純水霧化，生成氧氣和水汽的混合氣體，通入氧化爐爐管（1）內，并分解成氫氣和氧氣，與硅片發生反應，在硅片表面形成氧化膜，實現濕氧工藝。
2.根據權利要求1所述的一種硅片熱氧化濕氧工藝，其特征在于：所述計量泵（3）、氮氣罐（4）、氧氣罐（5）與氣體噴頭（2）之間分別通過連通管路相連。
3.根據權利要求2所述的一種硅片熱氧化濕氧工藝，其特征在于：所述連通管路上均設有控制閥（7）。
4.根據權利要求1所述的一種硅片熱氧化濕氧工藝，其特征在于：所述氣體噴頭（2）為三通霧化噴頭。
5.根據權利要求1所述的一種硅片熱氧化濕氧工藝，其特征在于：所述計量泵（3）與外部的控制模塊相連。
6.根據權利要求1所述的一種硅片熱氧化濕氧工藝，其特征在于：所述氧化爐爐管（1）為高溫石英管。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
