[發(fā)明專利]一種顯示面板及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010920984.0 | 申請日: | 2020-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN111900194A | 公開(公告)日: | 2020-11-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 唐甲 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
陣列基板;
多個反射電極,位于所述陣列基板上且呈陣列分布;
多個隔離單元;其中,任意相鄰的兩個所述反射電極之間設(shè)置一所述隔離單元;
陽極層,包括位于每個所述反射電極上的第一陽極以及位于每個所述隔離單元遠(yuǎn)離所述陣列基板一側(cè)的第二陽極;
發(fā)光功能層,位于所述第一陽極上;
其中,每個所述第一陽極與相鄰的所述第二陽極通過所述隔離單元間隔開。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述隔離單元的寬度在所述陣列基板朝向所述第二陽極的方向上逐漸增大,且所述隔離單元的上表面在所述陣列基板上的正投影完全覆蓋所述隔離單元的下表面在所述陣列基板上的正投影。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述隔離單元在垂直于所述陣列基板方向上的截面的形狀為倒梯形。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述截面包括相對設(shè)置的兩個斜邊;每個所述斜邊與所述陣列基板的上表面之間的夾角大于或等于45°且小于或等于60°。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述隔離單元的厚度大于所述反射電極和所述第一陽極的厚度之和。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示面板,其特征在于,所述第一陽極的厚度大于或等于800A;所述隔離單元的厚度大于或等于1um。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括覆蓋在每個所述第二陽極的上表面和側(cè)表面的像素定義層。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示面板,其特征在于,所述像素定義層還部分覆蓋在所述第一陽極和所述反射電極上以形成像素開口,且所述發(fā)光功能層位于所述像素開口中。
9.一種顯示面板的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
提供陣列基板;
在所述陣列基板上形成呈陣列分布的多個反射電極;
在任意相鄰的兩個反射電極之間形成隔離單元;
在形成有所述反射電極和所述隔離單元的陣列基板上覆蓋陽極層,以形成位于每個所述反射電極上的第一陽極和位于每個所述隔離單元遠(yuǎn)離所述陣列基板一側(cè)的第二陽極;其中,所述第一陽極與所述第二陽極通過所述隔離單元間隔開;以及
在所述第一陽極上形成發(fā)光功能層。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示面板的制作方法,其特征在于,所述隔離單元的寬度在所述陣列基板朝向所述第二陽極的方向上逐漸增大,且所述隔離單元的上表面在所述陣列基板上的正投影完全覆蓋所述隔離單元的下表面在所述陣列基板上的正投影。
11.如權(quán)利要求10所述的顯示面板的制作方法,其特征在于,所述隔離單元在垂直于所述陣列基板方向上的截面的形狀為倒梯形。
12.如權(quán)利要求9所述的顯示面板的制作方法,其特征在于,所述隔離單元的厚度大于所述反射電極和所述第一陽極的厚度之和。
13.如權(quán)利要求9所述的顯示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述第一陽極上形成發(fā)光功能層,包括以下步驟:
形成覆蓋在每個所述第二陽極的上表面和側(cè)表面的像素定義層;其中,所述像素定義層還部分覆蓋在所述第一陽極和所述反射電極上以形成像素開口;
在位于所述像素開口中所述第一陽極上形成發(fā)光功能層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





