[發明專利]一種顯示面板及其制作方法在審
| 申請號: | 202010920984.0 | 申請日: | 2020-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN111900194A | 公開(公告)日: | 2020-11-06 |
| 發明(設計)人: | 唐甲 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
本申請公開了一種顯示面板及其制作方法,所述顯示面板包括陣列基板、多個反射電極、多個隔離單元、陽極層和發光功能層;所述多個反射電極位于所述陣列基板上且呈陣列分布;任意相鄰的兩個所述反射電極之間設置一所述隔離單元;所述陽極層包括位于每個所述反射電極上的第一陽極以及位于每個所述隔離單元遠離所述陣列基板一側的第二陽極,且每個所述第一陽極與相鄰的所述第二陽極通過所述隔離單元間隔開;所述發光功能層位于所述第一陽極上。本申請可以通過隔離單元自然的將相鄰的兩個第一陽極斷開,且可以通過第一陽極的厚度來調節器件腔長。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板及其制作方法。
背景技術
頂發光OLED(Organic Light Emitting Diode,有機發光二極管)器件的發光效率及發光波長準確控制一直是OLED器件研發的難題。影響OLED器件的發光效率及發光波長準確控制的主要因素之一是:OLED器件腔長的控制(腔長一般指陽極底部的反射電極至陰極的直接距離)。由于微腔效應的影響,各子像素(sub-pixel)的發光效率及波普位置均不是最佳化,尤其對出光波普的位置精度影響較大,導致OLED器件的壽命和效率較低。
目前頂發光OLED器件中的陽極結構由反射電極和覆蓋在反射電極上的陽極(材料為ITO)構成,且反射電極與陽極通過一張光罩制成,陽極一般為低膜厚的ITO膜(厚度為150A),依靠OLED有機材料的本身厚度來調節腔長比較困難,因此陽極結構上的陽極的厚度對腔長的調節有著重要作用。通過器件最佳效率的模擬可知,當陽極的厚度約為800A時器件效率最佳。
目前腔長的調節主要有兩種方案:方案一,將陽極(ITO材料)加厚至800A;方案二,在陽極(ITO材料)與反射電極之間增加透明的墊片(Spacer),墊片的材料包括氧化硅或其他透明有機材料。但是,對于方案一,陽極通過刻蝕工藝形成,ITO材質的陽極加厚(例如加厚至400A以上)易結晶,易造成刻蝕殘留,特別是當陽極材料沉積在金屬反射電極(材料一般是Ag或Al)上時,結晶更加嚴重,導致無法正??涛g;對于方案二,對墊片圖形化需要引入曝光顯影制程或化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,CVD)和刻蝕制程等,制程復雜,不利于量產。
發明內容
本申請提供一種顯示面板及其制作方法,通過在相鄰的兩個反射電極之間設置隔離單元,可以自然的將相鄰的兩個第一陽極斷開,且可以通過第一陽極的厚度來調節器件腔長,解決了厚度較大的陽極層難刻蝕的問題,同時解決了在陽極層和反射電極之間設置墊片調節器件腔長導致的工藝復雜的問題。
本申請提供一種顯示面板,包括:
陣列基板;
多個反射電極,位于所述陣列基板上且呈陣列分布;
多個隔離單元;其中,任意相鄰的兩個所述反射電極之間設置一所述隔離單元;
陽極層,包括位于每個所述反射電極上的第一陽極以及位于每個所述隔離單元遠離所述陣列基板一側的第二陽極;
發光功能層,位于所述第一陽極上;
其中,每個所述第一陽極與相鄰的所述第二陽極通過所述隔離單元間隔開。
可選的,所述隔離單元的寬度在所述陣列基板朝向所述第二陽極的方向上逐漸增大,且所述隔離單元的上表面在所述陣列基板上的正投影完全覆蓋所述隔離單元的下表面在所述陣列基板上的正投影。
可選的,所述隔離單元在垂直于所述陣列基板方向上的截面的形狀為倒梯形。
可選的,所述截面包括相對設置的兩個斜邊;每個所述斜邊與所述陣列基板的上表面之間的夾角大于或等于45°且小于或等于60°。
可選的,所述隔離單元的厚度大于所述反射電極和所述第一陽極的厚度之和。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





