[發(fā)明專利]用于晶圓載置的真空吸盤系統(tǒng)

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010919971.1
• 申請日: 2020-09-04
• 公開（公告）號: CN112071797A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發(fā)明（設計）人: 劉遠航;馬旭;趙德文;王江濤
• 申請（專利權(quán)）人: 華海清科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明公開了一種用于晶圓載置的真空吸盤系統(tǒng)，包括用于吸附并保持晶圓的吸盤、第一密封腔室、第二密封腔室、第一電磁閥、第二電磁閥和第三電磁閥；吸盤通過管路依次連接第一密封腔室、第一電磁閥、第二密封腔室和第二電磁閥，第一密封腔室連接負壓源從而為吸盤提供持續(xù)的吸附力并將從吸盤吸引的氣體與液體、固體顆粒分離，第二密封腔室分別連接負壓源和正壓源以在第二密封腔室連通負壓源并且第一電磁閥導通時從第一密封腔室吸引液體和/或固體顆粒以及在第二密封腔室連通正壓源并且第二電磁閥導通時將其中的液體和/或固體顆粒排出；第二密封腔室的氣路端口和負壓源之間連接第三電磁閥。

技術(shù)領域

本發(fā)明涉及晶圓超精密制造技術(shù)領域，尤其涉及一種用于晶圓載置的真空吸盤系統(tǒng)。

背景技術(shù)

目前半導體行業(yè)采用在半導體晶圓的表面上形成有電子電路來制造半導體芯片。因此晶圓制造是制約超/極大規(guī)模集成電路(即芯片，IC，Integrated Circuit)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關鍵環(huán)節(jié)。晶圓在被分割為半導體芯片之前，通過加工裝置來減薄形成有電子電路的器件面的相反側(cè)的背面，從而將晶圓減薄至預定的厚度。

在晶圓生產(chǎn)制造的過程中，陶瓷吸盤負責支撐、吸附并固定晶圓，因此為陶瓷吸盤提供真空吸附力的真空源的壓力穩(wěn)定性對于減薄過程的穩(wěn)定性較為重要，一旦真空源的壓力下降極有可能發(fā)生滑片甚至碎片。然而，由于陶瓷吸盤表面為多孔結(jié)構(gòu)，在減薄和清洗過程中，會有液體和固體的磨削顆粒通過該多孔結(jié)構(gòu)進入真空管路中，導致真空管路的真空度下降，使得吸盤對晶圓的吸附能力下降，并且還會對真空管路中的零部件造成損耗，影響晶圓的產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)安全。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例提供了一種用于晶圓載置的真空吸盤系統(tǒng)，旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。

本發(fā)明實施例提供了一種用于晶圓載置的真空吸盤系統(tǒng)，包括用于吸附并保持晶圓的吸盤、第一密封腔室、第二密封腔室、第一電磁閥、第二電磁閥和第三電磁閥；

所述吸盤通過管路依次連接第一密封腔室、第一電磁閥、第二密封腔室和第二電磁閥，第一密封腔室連接負壓源從而為吸盤提供持續(xù)的吸附力并將從吸盤吸引的氣體與液體、固體顆粒分離，第二密封腔室分別連接負壓源和正壓源以在第二密封腔室連通負壓源并且第一電磁閥導通時從第一密封腔室吸引液體和/或固體顆粒以及在第二密封腔室連通正壓源并且第二電磁閥導通時將其中的液體和/或固體顆粒排出；

其中，在液體和/或固體顆粒由第一密封腔室轉(zhuǎn)移至第二密封腔室以及從第二密封腔室排出的排液過程中不影響吸盤的真空狀態(tài)；

所述吸盤與第一密封腔室之間連接的管路上設有單向閥以實現(xiàn)由吸盤至第一密封腔室單向?qū)ǎ?/p>

所述第二密封腔室的氣路端口和負壓源之間連接第三電磁閥，在第一電磁閥導通之前控制第三電磁閥導通以使第二密封腔室內(nèi)的負壓力大于等于第一密封腔室內(nèi)的負壓力從而利于使液體和/或固體顆粒由第一密封腔室轉(zhuǎn)移至第二密封腔室。

在一個實施例中，還包括控制器，控制器分別與第一電磁閥和第二電磁閥連接；所述控制器控制第一電磁閥的通斷以使第一密封腔室和第二密封腔室之間不發(fā)生氣體交換。

在一個實施例中，所述第一密封腔室還連接有高液位傳感器和低液位傳感器，高液位傳感器和低液位傳感器分別連接控制器；

所述控制器通過高液位傳感器檢測到第一密封腔室內(nèi)的液位升至高液位時控制第一電磁閥導通以使液體和/或固體顆粒由第一密封腔室轉(zhuǎn)移至第二密封腔室；

所述控制器通過低液位傳感器檢測到第一密封腔室內(nèi)的液位降至低液位時控制第一電磁閥斷開；

其中，所述高液位低于所述第一密封腔室的內(nèi)頂面且高于所述低液位，所述低液位高于所述第一密封腔室的內(nèi)底面。