[發明專利]用于晶圓載置的真空吸盤系統在審
| 申請號: | 202010919971.1 | 申請日: | 2020-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN112071797A | 公開(公告)日: | 2020-12-11 |
| 發明(設計)人: | 劉遠航;馬旭;趙德文;王江濤 | 申請(專利權)人: | 華海清科股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
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| 地址: | 300350 天津市津*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 晶圓載置 真空 吸盤 系統 | ||
1.一種用于晶圓載置的真空吸盤系統,其特征在于,包括用于吸附并保持晶圓的吸盤、第一密封腔室、第二密封腔室、第一電磁閥、第二電磁閥和第三電磁閥;
所述吸盤通過管路依次連接第一密封腔室、第一電磁閥、第二密封腔室和第二電磁閥,第一密封腔室連接負壓源從而為吸盤提供持續的吸附力并將從吸盤吸引的氣體與液體、固體顆粒分離,第二密封腔室分別連接負壓源和正壓源以在第二密封腔室連通負壓源并且第一電磁閥導通時從第一密封腔室吸引液體和/或固體顆粒以及在第二密封腔室連通正壓源并且第二電磁閥導通時將其中的液體和/或固體顆粒排出;
其中,在液體和/或固體顆粒由第一密封腔室轉移至第二密封腔室以及從第二密封腔室排出的排液過程中不影響吸盤的真空狀態;
所述吸盤與第一密封腔室之間連接的管路上設有單向閥以實現由吸盤至第一密封腔室單向導通;
所述第二密封腔室的氣路端口和負壓源之間連接第三電磁閥,在第一電磁閥導通之前控制第三電磁閥導通以使第二密封腔室內的負壓力大于等于第一密封腔室內的負壓力從而利于使液體和/或固體顆粒由第一密封腔室轉移至第二密封腔室。
2.如權利要求1所述的用于晶圓載置的真空吸盤系統,其特征在于,還包括控制器,控制器分別與第一電磁閥和第二電磁閥連接;所述控制器控制第一電磁閥的通斷以使第一密封腔室和第二密封腔室之間不發生氣體交換。
3.如權利要求2所述的用于晶圓載置的真空吸盤系統,其特征在于,所述第一密封腔室還連接有高液位傳感器和低液位傳感器,高液位傳感器和低液位傳感器分別連接控制器;
所述控制器通過高液位傳感器檢測到第一密封腔室內的液位升至高液位時控制第一電磁閥導通以使液體和/或固體顆粒由第一密封腔室轉移至第二密封腔室;
所述控制器通過低液位傳感器檢測到第一密封腔室內的液位降至低液位時控制第一電磁閥斷開;
其中,所述高液位低于所述第一密封腔室的內頂面且高于所述低液位,所述低液位高于所述第一密封腔室的內底面。
4.如權利要求3所述的用于晶圓載置的真空吸盤系統,其特征在于,所述第一密封腔室的第一氣路端口和負壓源之間還設有第一調壓閥以調節所述第一密封腔室內的氣壓;所述第一密封腔室的第二氣路端口連通所述吸盤;
其中,第一密封腔室的第一氣路端口和第二氣路端口均高于所述高液位。
5.如權利要求3所述的用于晶圓載置的真空吸盤系統,其特征在于,所述第一密封腔室的壓力檢測端口連接有第一壓力傳感器,其中,第一密封腔室的壓力檢測端口高于所述高液位。
6.如權利要求2所述的用于晶圓載置的真空吸盤系統,其特征在于,所述第二密封腔室的氣路端口和負壓源之間連接有第二調壓閥,第二調壓閥和第三電磁閥分別與所述控制器連接。
7.如權利要求6所述的用于晶圓載置的真空吸盤系統,其特征在于,所述第二密封腔室的氣路端口和正壓源之間連接有第四電磁閥。
8.如權利要求6所述的用于晶圓載置的真空吸盤系統,其特征在于,所述第二密封腔室的壓力檢測端口連接有第二壓力傳感器。
9.如權利要求1至8任一項所述的用于晶圓載置的真空吸盤系統,其特征在于,所述第二密封腔室的底端位置不高于所述第一密封腔室的底端位置。
10.如權利要求1至8任一項所述的用于晶圓載置的真空吸盤系統,其特征在于,所述第一密封腔室的容積小于所述第二密封腔室的容積。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





