[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體芯片鍍膜裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010919096.7 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-04 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112063971B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-03-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳盛春;范曉君;袁建鋒;陳茂彬;黃欽亮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 湖南辰皓真空科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/22 | 分類號(hào): | C23C14/22;H01L21/67 |
| 代理公司: | 廣州海藻專利代理事務(wù)所(普通合伙) 44386 | 代理人: | 張大保 |
| 地址: | 410205 湖南省長(zhǎng)沙市長(zhǎng)沙高新開(kāi)發(fā)*** | 國(guó)省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 半導(dǎo)體 芯片 鍍膜 裝置 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體芯片鍍膜裝置,涉及半導(dǎo)體芯片鍍膜技術(shù)領(lǐng)域,包括底座,所述底座內(nèi)部設(shè)置有液壓桿,且液壓桿頂部設(shè)置有貫穿底座頂部的提取引導(dǎo)塊。本發(fā)明通過(guò)提取滑車與液壓桿配合,使提取引導(dǎo)塊升起并利用斜面使頂柱路過(guò)時(shí)沿斜坡升起,從而通過(guò)托圈將鍍膜盤從鍍膜架頂部托取,快速完成鍍膜盤提取過(guò)程,從而通過(guò)簡(jiǎn)單有效的方式替換了現(xiàn)有的復(fù)雜轉(zhuǎn)運(yùn)機(jī)械臂,使結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)便、易維護(hù);并通過(guò)鍍膜架滑軌、鍍膜艙滑蓋及進(jìn)口翻蓋,使鍍膜艙前進(jìn)后出,完成鍍膜后的鍍膜盤通過(guò)鍍膜架運(yùn)輸至提取管道內(nèi)部,同時(shí)進(jìn)料機(jī)械臂通過(guò)進(jìn)口翻蓋將新鍍膜盤預(yù)備至鍍膜架復(fù)位處上方,待鍍膜架復(fù)位后即可完成進(jìn)料,降低空置率,從而極大地提高了效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片鍍膜技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種半導(dǎo)體芯片鍍膜裝置。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體芯片無(wú)處不在,計(jì)算機(jī)、手機(jī)等幾乎所有的數(shù)字電器都離不開(kāi)半導(dǎo)體芯片,現(xiàn)代計(jì)算、交流、制造和交通系統(tǒng),包括互聯(lián)網(wǎng),全都依賴于半導(dǎo)體芯片的存在。
而鍍膜是半導(dǎo)體芯片制作中重要的一環(huán),現(xiàn)在的鍍膜裝置多采用真空鍍膜工藝,現(xiàn)有技術(shù)中會(huì)使用機(jī)械臂配合真空鍍膜機(jī)進(jìn)行工作,但現(xiàn)有自動(dòng)化工藝需要通過(guò)機(jī)械臂先將真空鍍膜機(jī)內(nèi)部鍍膜盤取出,進(jìn)行轉(zhuǎn)運(yùn)后再通過(guò)機(jī)械臂將新的鍍膜盤放入其內(nèi)部,中間等待時(shí)間長(zhǎng),空置率高,導(dǎo)致效率較低,且現(xiàn)有的轉(zhuǎn)運(yùn)裝置多采用機(jī)械臂配合傳送帶,機(jī)械臂結(jié)構(gòu)復(fù)雜,導(dǎo)致維護(hù)費(fèi)用高、成本高,維護(hù)起來(lái)較為復(fù)雜和昂貴。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于:為了解決現(xiàn)有半導(dǎo)體芯片鍍膜裝置空置率偏高、轉(zhuǎn)運(yùn)裝置復(fù)雜的問(wèn)題,提供一種半導(dǎo)體芯片鍍膜裝置。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:一種半導(dǎo)體芯片鍍膜裝置,包括底座,所述底座內(nèi)部設(shè)置有液壓桿,且液壓桿頂部設(shè)置有貫穿底座頂部的提取引導(dǎo)塊,所述底座頂部設(shè)置有提取管道,所述提取管道內(nèi)部中間設(shè)置有一對(duì)引導(dǎo)齒桿,且一對(duì)引導(dǎo)齒桿外部滑動(dòng)套接有提取滑車,所述提取滑車內(nèi)部中間滑動(dòng)套接有與提取引導(dǎo)塊配合的頂柱,且頂柱貫穿至提取滑車頂部一端設(shè)置有與其配合的托圈,所述底座及提取管道一側(cè)設(shè)置有鍍膜艙底座,且鍍膜艙底座頂部設(shè)置有與提取管道連通的鍍膜艙,所述鍍膜艙內(nèi)部設(shè)置有一對(duì)鍍膜架滑軌,且一對(duì)鍍膜架滑軌之間滑動(dòng)連接有鍍膜架,所述鍍膜架頂部中間設(shè)置有鍍膜盤,所述鍍膜艙遠(yuǎn)離提取管道一端設(shè)置有進(jìn)口翻蓋,且鍍膜艙延伸至提取管道內(nèi)部一端旋轉(zhuǎn)連接有鍍膜艙滑蓋。
優(yōu)選地,一對(duì)所述引導(dǎo)齒桿相互靠近的一側(cè)皆設(shè)置有齒槽,所述提取滑車內(nèi)部設(shè)置有與齒槽配合的電力滾軸。
優(yōu)選地,所述鍍膜盤底部設(shè)置有與托圈契合的托圈槽,所述托圈外側(cè)設(shè)置有多組貫穿并連通至內(nèi)部的泄壓孔。
優(yōu)選地,所述鍍膜架中間設(shè)置有與托圈及頂柱配合的托取槽,且鍍膜架頂部中間位于托取槽兩側(cè)處設(shè)置有與鍍膜盤配合的盤槽。
優(yōu)選地,所述鍍膜艙頂部靠近進(jìn)口翻蓋一端設(shè)置有與其配合的翻蓋電力滾軸,鍍膜艙靠近鍍膜艙滑蓋一端上部設(shè)置有與其配合的滑蓋電力滾軸。
優(yōu)選地,所述鍍膜艙內(nèi)部設(shè)置有與鍍膜架配合的推送機(jī)組,且鍍膜艙內(nèi)部設(shè)置有真空鍍膜器。
優(yōu)選地,所述引導(dǎo)齒桿一端設(shè)置有外螺紋,且引導(dǎo)齒桿另一端設(shè)置有與外螺紋配合的內(nèi)螺紋。
優(yōu)選地,所述提取管道及底座皆設(shè)置有與額外的提取管道及底座相連接的連接桿件。
優(yōu)選地,所述底座頂部中間開(kāi)設(shè)有連通其內(nèi)部并與提取引導(dǎo)塊配合的提升孔,且提升孔內(nèi)壁設(shè)置有與提取引導(dǎo)塊配合的限位滑槽。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





