[發明專利]一種半導體芯片鍍膜裝置

有效

• 申請號: 202010919096.7
• 申請日: 2020-09-04
• 公開（公告）號: CN112063971B
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發明（設計）人: 吳盛春;范曉君;袁建鋒;陳茂彬;黃欽亮
• 申請（專利權）人: 湖南辰皓真空科技有限公司
• 主分類號: C23C14/22
• 分類號: C23C14/22;H01L21/67
• 代理公司: 廣州海藻專利代理事務所(普通合伙) 44386
• 代理人: 張大保

1.一種半導體芯片鍍膜裝置，包括底座，其特征在于：所述底座內部設置有液壓桿，且液壓桿頂部設置有貫穿底座頂部的提取引導塊，所述底座頂部設置有提取管道，所述提取管道內部中間設置有一對引導齒桿，且一對引導齒桿外部滑動套接有提取滑車，所述提取滑車內部中間滑動套接有與提取引導塊配合的頂柱，且頂柱貫穿至提取滑車頂部一端設置有與其配合的托圈，所述底座及提取管道一側設置有鍍膜艙底座，且鍍膜艙底座頂部設置有與提取管道連通的鍍膜艙，所述鍍膜艙內部設置有一對鍍膜架滑軌，且一對鍍膜架滑軌之間滑動連接有鍍膜架，所述鍍膜架頂部中間設置有鍍膜盤，所述鍍膜艙遠離提取管道一端設置有進口翻蓋，且鍍膜艙延伸至提取管道內部一端旋轉連接有鍍膜艙滑蓋，所述提取引導塊頂部兩側為斜坡結構。

2.根據權利要求1所述的一種半導體芯片鍍膜裝置，其特征在于：一對所述引導齒桿相互靠近的一側皆設置有齒槽，所述提取滑車內部設置有與齒槽配合的電力滾軸。

3.根據權利要求1所述的一種半導體芯片鍍膜裝置，其特征在于：所述鍍膜盤底部設置有與托圈契合的托圈槽，所述托圈外側設置有多組貫穿并連通至內部的泄壓孔。

4.根據權利要求1所述的一種半導體芯片鍍膜裝置，其特征在于：所述鍍膜架中間設置有與托圈及頂柱配合的托取槽，且鍍膜架頂部中間位于托取槽兩側處設置有與鍍膜盤配合的盤槽。

5.根據權利要求1所述的一種半導體芯片鍍膜裝置，其特征在于：所述鍍膜艙頂部靠近進口翻蓋一端設置有與其配合的翻蓋電力滾軸，鍍膜艙靠近鍍膜艙滑蓋一端上部設置有與其配合的滑蓋電力滾軸。

6.根據權利要求1所述的一種半導體芯片鍍膜裝置，其特征在于：所述鍍膜艙內部設置有與鍍膜架配合的推送機組，且鍍膜艙內部設置有真空鍍膜器。

7.根據權利要求1所述的一種半導體芯片鍍膜裝置，其特征在于：所述引導齒桿一端設置有外螺紋，且引導齒桿另一端設置有與外螺紋配合的內螺紋。

8.根據權利要求1所述的一種半導體芯片鍍膜裝置，其特征在于：所述提取管道及底座皆設置有與額外的提取管道及底座相連接的連接桿件。

9.根據權利要求1所述的一種半導體芯片鍍膜裝置，其特征在于：所述底座頂部中間開設有連通其內部并與提取引導塊配合的提升孔，且提升孔內壁設置有與提取引導塊配合的限位滑槽。