[發明專利]一種研磨液流量控制方法、裝置、設備及可讀存儲介質

有效

• 申請號: 202010917297.3
• 申請日: 2020-09-03
• 公開（公告）號: CN112247826B
• 公開（公告）日: 2022-03-22
• 發明（設計）人: 劉志偉;尹影;周慶亞;崔凱;賈若雨;李久芳;孟曉云
• 申請（專利權）人: 北京爍科精微電子裝備有限公司
• 主分類號: B24B37/005
• 分類號: B24B37/005;B24B57/02;H01L21/02
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 馬永芬

本發明公開了一種研磨液流量控制方法、裝置、設備及可讀存儲介質，其中，該方法包括：獲取機械臂的運動參數；根據機械臂的運動參數，確定機械臂的位置數據；根據位置數據確定目標研磨液流量。通過實施本發明，避免了機械臂擺動到固定位置后按照設定流出相應的研磨液，由拋光盤自身的轉動將研磨液分布到拋光盤上而導致的分布不均勻，實現了研磨液在拋光盤上均勻分布，保證了研磨效果，減少了研磨液消耗。

技術領域

本發明涉及化學機械拋光技術領域，具體涉及一種研磨液流量控制方法、裝置、設備及可讀存儲介質。

背景技術

集成電路制造工藝過程通常是指將導體、半導體、絕緣層以一定的工藝順序沉積在特定的基板上(如硅基晶圓)。在制造工藝過程中，首先需要化學機械拋光(ChemicalMechanical Polishing，CMP)設備對晶圓膜沉積工藝后的微觀粗糙表面進行全局平坦化處理，以便進行后續的半導體工藝過程。因此，采用CMP技術進行全局平坦化處理尤為重要。現在CMP技術主要采用機械臂擺動到固定位置進行研磨液滴落，當機械臂擺動到固定位置后按照設定好的工藝參數流出相應流量的研磨液，隨著拋光盤和拋光頭的相互轉動，對晶圓進行拋光處理。然而，這種方法完全時依靠拋光盤自身的轉動將研磨液分布到拋光盤上，導致拋光盤上研磨液分布不均，進而導致晶圓質量不一，增加了研磨液的消耗以及生產成本。

發明內容

因此，本發明要解決的技術問題在于克服現有技術中的研磨液流量控制方法存在研磨液在拋光盤上分布不均而導致晶圓質量不一的問題，從而提供一種研磨液流量控制方法、裝置、設備及可讀存儲介質。

根據第一方面，本發明實施例提供一種研磨液流量控制方法，包括：獲取機械臂的運動參數；根據所述機械臂的運動參數，確定所述機械臂的位置數據；根據所述位置數據確定目標研磨液流量。

結合第一方面，在第一方面的第一實施方式中，所述運動參數包括機械臂的擺動范圍和機械臂的擺動頻率。

結合第一方面，在第一方面的第二實施方式中，所述根據所述位置數據確定目標研磨液流量，包括：根據第一函數關系式，確定所述機械臂在當前位置的所述目標研磨液流量。

結合第一方面第二實施方式，在第一方面的第三實施方式中，所述第一函數關系式的確定方法包括：獲取所述機械臂在擺動中的多個位置點以及與多個位置點所對應的多個初始研磨液流量；根據所述多個位置點與多個所述初始研磨液流量之間的關系，確定第一函數關系式。

結合第一方面，在第一方面的第四實施方式中，所述研磨液流量控制方法還包括：根據第二函數關系式對所述目標研磨液流量進行校正。

結合第一方面第四實施方式，在第一方面的第五實施方式中，所述第二函數關系式的確定方法包括：獲取所述機械臂在當前位置的實際研磨液流量，以及拋光盤的反饋研磨液流量；根據所述反饋研磨液流量、所述實際研磨液流量和所述目標研磨液流量之間的比例關系，確定第二函數關系式。

結合第一方面第二實施方式，在第一方面的第六實施方式中，所述第一函數關系式為線性關系式或正弦關系。

根據第二方面，本發明實施例提供一種研磨液流量控制裝置，包括：獲取模塊，用于獲取機械臂的運動參數；第一確定模塊，用于根據所述機械臂的運動參數，確定所述機械臂的位置數據；第二確定模塊，用于根據所述位置數據確定目標研磨液流量。

根據第三方面，本發明實施例提供一種計算機設備，包括：存儲器和處理器，所述存儲器和所述處理器之間互相通信連接，所述存儲器中存儲有計算機指令，所述處理器通過執行所述計算機指令，從而執行第一方面或第一方面任一實施方式所述的研磨液流量控制方法。

根據第四方面，本發明實施例提供一種計算機可讀存儲介質，所述計算機可讀存儲介質存儲有計算機指令，所述計算機指令用于使所述計算機執行第一方面或第一方面任一實施方式所述的研磨液流量控制方法。

本發明技術方案，具有如下優點：