[發明專利]P型背結接觸鈍化電池正面局域重擴方法及電池制備方法

在審

• 申請號: 202010915777.6
• 申請日: 2020-09-03
• 公開（公告）號: CN111816554A
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 袁聲召;崔艷峰;莊宇峰;于元元;胡玉婷;楊斌;張文超;萬義茂
• 申請（專利權）人: 東方日升新能源股份有限公司
• 主分類號: H01L21/268
• 分類號: H01L21/268;H01L31/18
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 王麗莎

1.一種P型背結接觸鈍化電池正面局域重擴的方法，其特征在于，包括以下步驟：

在背面沉積有隧穿氧化層及多晶硅薄膜的P型硅片的正面金屬區域印刷硼漿；然后利用激光將所述硼漿中的硼打入硅中。

2.根據權利要求1所述的P型背結接觸鈍化電池正面局域重擴的方法，其特征在于，

所述印刷硼漿的固含量為10-30%。

3.根據權利要求1所述的P型背結接觸鈍化電池正面局域重擴的方法，其特征在于，所述印刷硼漿的步驟，包括：

印刷硼漿，以及將印刷后的所述硼漿在溫度為200~400℃進行烘干。

4.根據權利要求1-3任一項所述的P型背結接觸鈍化電池正面局域重擴的方法，其特征在于，

照射在印刷后的所述硼漿表面的激光的光斑為正方形或者長方形；

可選地，所述光斑的邊長在80~150um范圍內。

5.根據權利要求1-3任一項所述的P型背結接觸鈍化電池正面局域重擴的方法，其特征在于，

所述激光的單脈沖能量密度為1.5~3.5J/cm²。

6.根據權利要求1-3任一項所述的P型背結接觸鈍化電池正面局域重擴的方法，其特征在于，

所述激光的掃描速度為5~30m/s。

7.根據權利要求1所述的P型背結接觸鈍化電池正面局域重擴的方法，其特征在于，所述背面沉積有隧穿氧化層及多晶硅薄膜的P型硅片的制備步驟包括：

先在P型硅片背面沉積隧穿氧化層，再沉積多晶硅薄膜，然后在所述多晶硅薄膜中摻入磷；

可選地，所述隧穿氧化層的厚度小于2nm，沉積溫度為500~700℃；

可選地，所述多晶硅薄膜的厚度為100~200nm；

可選地，所述在所述多晶硅薄膜中摻入磷的步驟，包括：在擴散爐管中進行磷擴散，擴散溫度為700~900℃；

可選地，在多晶硅薄膜中摻入磷后，形成的方塊電阻范圍為40~150ohm/□。

8.根據權利要求7所述的P型背結接觸鈍化電池正面局域重擴的方法，其特征在于，

所述在所述多晶硅薄膜中摻入磷的步驟之后，還在所述P型硅片的背面沉積氮化硅薄膜；

可選地，所述氮化硅薄膜的厚度為80~120nm。

9.根據權利要求1所述的P型背結接觸鈍化電池正面局域重擴的方法，其特征在于，

所述利用激光將所述硼漿中的硼打入硅中的步驟之后，還去除所述P型硅片正面剩余的硼漿；

可選地，所述去除P型硅片正面剩余的硼漿的步驟包括：先采用體積濃度為2~8%的KOH溶液清洗硅片正面，然后用體積濃度2~5%的HF溶液清洗硅片正面。

10.一種P型背結接觸鈍化電池的制備方法，其特征在于，包括：

采用權利要求1~9任一項所述的P型背結接觸鈍化電池正面局域重擴的方法進行正面局域重擴。