[發明專利]P型背結接觸鈍化電池正面局域重擴方法及電池制備方法在審
| 申請號: | 202010915777.6 | 申請日: | 2020-09-03 |
| 公開(公告)號: | CN111816554A | 公開(公告)日: | 2020-10-23 |
| 發明(設計)人: | 袁聲召;崔艷峰;莊宇峰;于元元;胡玉婷;楊斌;張文超;萬義茂 | 申請(專利權)人: | 東方日升新能源股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/268 | 分類號: | H01L21/268;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 王麗莎 |
| 地址: | 315600 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 型背結 接觸 鈍化 電池 正面 局域 方法 制備 | ||
本申請涉及太陽電池領域,具體而言,涉及一種P型背結接觸鈍化電池正面局域重擴方法及電池制備方法。在背面沉積有隧穿氧化層及多晶硅薄膜的P型硅片的正面金屬區域印刷硼漿;然后利用激光將硼漿中的硼打入硅中。本申請采用硼漿作為硅片正面局域重擴的硼源,然后利用激光將硼漿中的硼打入硅中,能夠在P型背結接觸鈍化電池的正面形成局域重擴區域以形成歐姆接觸,從而提高P型背結接觸鈍化電池的轉換效率。而且本申請采用硼漿作為硅片正面局域重擴的硼源,能夠極大地降低P型背結接觸鈍化電池的生產成本,適于產業化。利用激光將硼漿中的硼打入硅中,工藝步驟簡單,操作性強。
技術領域
本申請涉及太陽電池領域,具體而言,涉及一種P型背結接觸鈍化電池正面局域重擴方法及電池制備方法。
背景技術
接觸鈍化電池(TOPCon)是采用遂穿氧化物鈍化晶體硅表面,獲得表面鈍化,并以高摻雜硅薄膜實現選擇性接觸。由于接觸鈍化電池(TOPCon)進行了表面鈍化,有效降低了表面復合速率。而且由于接觸鈍化電池(TOPCon)以高摻雜硅薄膜實現選擇性接觸,避免了一些背面氧化物鈍化高效電池的背面開孔接觸工藝。
由于接觸鈍化電池(TOPCon)優異的性能,自2013年誕生以來,迅速成為光伏行業炙手可熱的技術。接觸鈍化電池(TOPCon)其實驗室電池效率快速增長。2017年,德國Fraunhoferise研究機構發布的小面積N型TOPCon電池效率達到了25.8%。相比于PERC電池,TOPCon電池效率高出0.5~1%;且相比于PERC電池,TOPCon電池沒有光衰。
然而,目前的接觸鈍化電池(TOPCon)的研究大多集中在N型TOPCon電池。例如,中國CN 110571304 A公開了一種N型鈍化接觸雙面太陽電池的制作方法,主要包括:背面沉積氮化硅薄膜、去繞度及制絨、邊緣隔離、去除BSG、沉積正面鈍化層氧化鋁層和氮化硅層、絲網印刷和燒結,得到鈍化接觸雙面太陽電池。中國專利CN 110299434 A公開了一種N型雙面太陽電池制作方法,主要包括:對N型的硅片進行預清洗,并在背面進行磷擴散形成N+層,去除表面的PSG、硅片邊緣和正面的擴散層;在硅片的背面覆蓋氮化硅層,去除正面氮化硅層,再在硅片正面制絨;在硅片正面進行硼擴散,制備PN結,然后去除BSG;在硅片正面制備鈍化層和減反射層,并印刷和燒結,得到N型雙面電池。
但是這些N型TOPCon電池由于其結構特點限制,仍然存在效率損失的問題。
發明內容
本申請實施例的目的在于提供一種P型背結接觸鈍化電池正面局域重擴方法及電池制備方法,能夠在P型背結接觸鈍化電池的正面形成局域重擴區域以形成歐姆接觸,提高背結接觸鈍化電池轉換效率,且工藝步驟簡單。
第一方面,本申請提供一種P型背結接觸鈍化電池正面局域重擴的方法,包括以下步驟:
在背面沉積有隧穿氧化層及多晶硅薄膜的P型硅片的正面金屬區域印刷硼漿;然后利用激光將硼漿中的硼打入硅中。
第二方面,本申請提供一種P型背結接觸鈍化電池的制備方法,包括:
采用上述的P型背結接觸鈍化電池正面局域重擴的方法進行正面局域重擴。
本發明的有益效果包括:本申請采用硼漿作為硅片正面局域重擴的硼源,然后利用激光將硼漿中的硼打入硅中,能夠在P型背結接觸鈍化電池的正面形成局域重擴區域以形成歐姆接觸,從而提高P型背結接觸鈍化電池的轉換效率。而且本申請采用硼漿作為硅片正面局域重擴的硼源,利用激光將硼漿中的硼打入硅中,工藝步驟簡單,操作性強。相對于現有技術中,N型TOPCon電池需要在正面進行硼擴散形成硼擴發射結,本申請采用P型襯底避免了硼擴散步驟,極大地簡化了TOPCon電池生產工藝。而且硼漿成本較低,能夠極大地降低P型背結接觸鈍化電池的生產成本,更加適于產業化。
附圖說明
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





