[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件和操作半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010915165.7
• 申請(qǐng)日: 2020-09-03
• 公開（公告）號(hào): CN112837725A
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭允敬;秋喆煥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11C11/406
• 分類號(hào): G11C11/406;G11C29/42
• 代理公司: 北京市立方律師事務(wù)所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

本公開涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件和操作半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法。所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括存儲(chǔ)單元陣列、糾錯(cuò)碼(ECC)引擎、刷新控制電路和控制邏輯電路。所述存儲(chǔ)單元陣列包括存儲(chǔ)單元行。所述刷新控制電路對(duì)所述存儲(chǔ)單元行執(zhí)行刷新操作。所述控制邏輯電路控制所述ECC引擎，使得所述ECC引擎在讀取操作期間通過對(duì)至少一個(gè)第一存儲(chǔ)單元行中的子頁面執(zhí)行ECC解碼來生成錯(cuò)誤生成信號(hào)。所述控制邏輯電路將所述第一存儲(chǔ)單元行的錯(cuò)誤發(fā)生計(jì)數(shù)與閾值進(jìn)行比較，并基于所述比較向所述刷新控制電路提供所述第一存儲(chǔ)單元行的第一地址作為錯(cuò)誤地址。所述刷新控制電路增加在刷新時(shí)段期間在所述第一存儲(chǔ)單元行中執(zhí)行的刷新操作的次數(shù)。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2019年11月25日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2019-0151829的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，其公開內(nèi)容通過引用全部合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及存儲(chǔ)器件，更具體地，涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件和操作半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法。

背景技術(shù)

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)是用于存儲(chǔ)工作(臨時(shí))信息的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器件的示例。RAM裝置通常在諸如筆記本電腦、移動(dòng)電話等設(shè)備中找到。動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)是RAM的一個(gè)子集，在DRAM中，無論信息的物理位置如何，都可以在芯片上存儲(chǔ)和讀取信息。

位錯(cuò)誤是由于外部因素導(dǎo)致的在編程、存儲(chǔ)或讀取過程中改變的信息位。可以使用糾錯(cuò)碼(ECC)糾正位錯(cuò)誤。例如，ECC可以用于通過如下操作來糾正位錯(cuò)誤：執(zhí)行計(jì)算以檢測(cè)位中的錯(cuò)誤；如果檢測(cè)到錯(cuò)誤，則嘗試糾正該錯(cuò)誤。

隨著DRAM器件的尺寸變小(即，隨著電子設(shè)備變小)，誤碼率會(huì)增加。因此，在本領(lǐng)域中需要更魯棒的ECC操作來補(bǔ)償較小的DRAM器件。

發(fā)明內(nèi)容

一些示例實(shí)施例提供了一種能夠使用錯(cuò)誤信息來調(diào)整刷新的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。

一些示例實(shí)施例提供了一種能夠使用錯(cuò)誤信息來調(diào)整刷新的操作半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法。

根據(jù)示例實(shí)施例，一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括：存儲(chǔ)單元陣列；糾錯(cuò)碼(ECC)引擎；刷新控制電路，所述刷新控制電路被配置為對(duì)所述多個(gè)存儲(chǔ)單元行執(zhí)行刷新操作；以及控制邏輯電路，所述控制邏輯電路被配置為基于來自外部存儲(chǔ)控制器的命令和地址來控制所述ECC引擎，其中，所述控制邏輯電路還被配置為控制所述ECC引擎，使得所述ECC引擎在讀取操作期間通過對(duì)所述存儲(chǔ)單元行中的至少一個(gè)第一存儲(chǔ)單元行中的子頁面執(zhí)行ECC解碼操作來生成錯(cuò)誤生成信號(hào)，其中，所述控制邏輯電路還被配置為將所述第一存儲(chǔ)單元行的錯(cuò)誤發(fā)生計(jì)數(shù)與閾值進(jìn)行比較，并基于所述比較向所述刷新控制電路提供所述第一存儲(chǔ)單元行的第一地址作為錯(cuò)誤地址，其中，所述錯(cuò)誤發(fā)生計(jì)數(shù)是基于所述錯(cuò)誤生成信號(hào)而生成的，并且其中，所述刷新控制電路被配置為基于所述錯(cuò)誤發(fā)生計(jì)數(shù)來增加在刷新時(shí)段期間在所述第一存儲(chǔ)單元行中執(zhí)行的刷新操作的次數(shù)。