[發明專利]具有再分布圖案的集成電路裝置在審
| 申請號: | 202010915149.8 | 申請日: | 2020-09-03 |
| 公開(公告)號: | CN112447670A | 公開(公告)日: | 2021-03-05 |
| 發明(設計)人: | 趙允來;梁辰列;高廷旼;白承德 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/528 | 分類號: | H01L23/528 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 趙南;張帆 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 再分 圖案 集成電路 裝置 | ||
1.一種集成電路裝置,包括:
基板上的布線結構和被配置為圍繞所述布線結構的第一布線間絕緣層,所述布線結構包括具有多層布線結構的多個布線層和多個通孔插塞;
所述第一布線間絕緣層上的第二布線間絕緣層和多個再分布通孔插塞,所述多個再分布通孔插塞穿過所述第二布線間絕緣層連接到所述布線結構;
所述第二布線間絕緣層上的多個再分布圖案,所述多個再分布圖案包括多個焊盤圖案和多個虛設圖案,所述多個焊盤圖案中的每一個和所述多個虛設圖案中的每一個的厚度大于所述多個布線層中的每一個的厚度;以及
覆蓋絕緣層,其被配置為覆蓋所述多個再分布圖案的一部分,
其中,所述多個虛設圖案在平行于所述基板的水平方向上成線延伸,并且被所述第二布線間絕緣層和所述覆蓋絕緣層完全圍繞以彼此電隔離。
2.根據權利要求1所述的集成電路裝置,其中,所述多個虛設圖案在縱向方向上以第一縱向方向間隔彼此間隔開,并在寬度方向上以第一寬度方向間隔彼此間隔開,
其中,所述多個虛設圖案中的每一個具有第一寬度和第一長度并且在所述水平方向上延伸,并且
其中,所述第一縱向方向間隔和所述第一寬度方向間隔中的每一個具有不超過所述第一寬度的1/2的值。
3.根據權利要求2所述的集成電路裝置,其中,所述多個再分布圖案還包括多個電力圖案,所述多個電力圖案各自線性延伸并具有第二寬度和第二長度,并且
其中,所述多個電力圖案中的每一個的下表面連接到所述多個再分布通孔插塞中的至少兩個,并且所述多個電力圖案中的每一個的上表面和側表面被所述覆蓋絕緣層覆蓋。
4.根據權利要求3所述的集成電路裝置,其中,
所述第一長度與所述第一寬度之比和所述第二長度與所述第二寬度之比中的每一個為5:1至20:1。
5.根據權利要求3所述的集成電路裝置,其中,
所述第一長度和所述第二長度中的每一個具有不小于100μm的值,并且所述第一寬度和所述第二寬度中的每一個具有不小于20μm的值。
6.根據權利要求3所述的集成電路裝置,其中,
所述第一縱向方向間隔和所述第一寬度方向間隔中的每一個具有不超過10μm的值。
7.根據權利要求3所述的集成電路裝置,其中,
所述多個電力圖案中的一個通過所述多個再分布通孔插塞中的一個、所述多個布線層中的一個、所述多個再分布通孔插塞中的另一個和所述多個焊盤圖案中的一個電連接到多個連接端子中的一個。
8.根據權利要求1所述的集成電路裝置,其中,
所述多個再分布圖案中的每一個的厚度的值不小于所述多個布線層中的每一個的厚度的值的兩倍。
9.根據權利要求8所述的集成電路裝置,其中,
所述多個再分布圖案中的每一個的厚度具有不小于1μm的值,并且所述多個布線層中的布置在最上端的最上布線層的厚度具有不超過0.5μm的值。
10.根據權利要求1所述的集成電路裝置,其中,
所述多個再分布圖案的平面面積與所述多個再分布圖案之間的間隔的平面面積之比為3.5:1至4.5:1。
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