[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010914382.4
• 申請日: 2020-09-03
• 公開（公告）號: CN111883520B
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉峻
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/48;H01L23/498;H01L23/538;H01L21/48;H01L21/52;H01L23/488;H01L27/11551
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 杜娟;駱希聰

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)，所述第一結(jié)構(gòu)上形成有第一鍵合層，所述第一鍵合層包括暴露于所述第一鍵合層上表面的第一導(dǎo)電部位，所述第二結(jié)構(gòu)上形成有第二鍵合層，所述第二鍵合層包括暴露于所述第二鍵合層上表面的第二導(dǎo)電部位；

所述第一導(dǎo)電部位包括第一導(dǎo)電觸點和第一導(dǎo)電區(qū)，所述第二導(dǎo)電部位包括第二導(dǎo)電觸點和第二導(dǎo)電區(qū)，所述第一導(dǎo)電區(qū)的關(guān)鍵尺寸大于所述第一導(dǎo)電觸點的關(guān)鍵尺寸，所述第二導(dǎo)電區(qū)的關(guān)鍵尺寸大于所述第二導(dǎo)電觸點的關(guān)鍵尺寸；

在所述第一導(dǎo)電區(qū)上形成第一導(dǎo)電凸點，和/或，在所述第二導(dǎo)電區(qū)上形成第二導(dǎo)電凸點；

鍵合所述第一結(jié)構(gòu)和所述第二結(jié)構(gòu)，使所述第一鍵合層的上表面和所述第二鍵合層的上表面相互接觸，使所述第一導(dǎo)電區(qū)對準(zhǔn)所述第二導(dǎo)電區(qū)，以及使所述第一導(dǎo)電觸點和所述第二導(dǎo)電觸點一一對應(yīng)并彼此接觸。

2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一鍵合層包括多個所述第一導(dǎo)電區(qū)，所述第二鍵合層包括多個所述第二導(dǎo)電區(qū)，所述第一導(dǎo)電區(qū)的數(shù)量和所述第二導(dǎo)電區(qū)的數(shù)量相同，多個所述第一導(dǎo)電區(qū)上的第一導(dǎo)電凸點和多個所述第二導(dǎo)電區(qū)上的第二導(dǎo)電凸點一一對應(yīng)并彼此接觸。

3.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電觸點的數(shù)量和所述第二導(dǎo)電觸點的數(shù)量相同。

4.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一鍵合層的上表面還包括第一介質(zhì)層，所述第二鍵合層的上表面還包括第二介質(zhì)層，鍵合所述第一結(jié)構(gòu)和所述第二結(jié)構(gòu)還包括，使所述第一介質(zhì)層與所述第二介質(zhì)層相互接觸。

5.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電區(qū)和所述第二導(dǎo)電區(qū)是硅通孔。

6.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，使所述第一導(dǎo)電部位對準(zhǔn)所述第二導(dǎo)電部位包括：根據(jù)所述第一導(dǎo)電觸點和所述第二導(dǎo)電觸點進行光學(xué)對準(zhǔn)。

7.如權(quán)利要求1至6任一項所述的制造方法，其特征在于，在形成第一導(dǎo)電凸點之前研磨所述第一鍵合層的上表面，和/或，在形成第二導(dǎo)電凸點之前研磨所述第二鍵合層的上表面。

8.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

相互鍵合的第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)，其中，所述第一結(jié)構(gòu)包括第一鍵合層和暴露于所述第一鍵合層上表面的第一導(dǎo)電部位，所述第二結(jié)構(gòu)包括第二鍵合層和暴露于所述第二鍵合層上表面的第二導(dǎo)電部位；

所述第一導(dǎo)電部位包括第一導(dǎo)電觸點和第一導(dǎo)電區(qū)，所述第二導(dǎo)電部位包括第二導(dǎo)電觸點和第二導(dǎo)電區(qū)，所述第一導(dǎo)電區(qū)的關(guān)鍵尺寸大于所述第一導(dǎo)電觸點的關(guān)鍵尺寸，所述第二導(dǎo)電區(qū)的關(guān)鍵尺寸大于所述第二導(dǎo)電觸點的關(guān)鍵尺寸；

所述第一鍵合層的上表面和所述第二鍵合層的上表面相互接觸，所述第一導(dǎo)電區(qū)對準(zhǔn)所述第二導(dǎo)電區(qū)，在所述第一導(dǎo)電區(qū)和所述第二導(dǎo)電區(qū)之間包括導(dǎo)電凸點，所述第一導(dǎo)電觸點和所述第二導(dǎo)電觸點一一對應(yīng)并彼此接觸。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一鍵合層包括多個所述第一導(dǎo)電區(qū)，所述第二鍵合層包括多個所述第二導(dǎo)電區(qū)，所述第一導(dǎo)電區(qū)的數(shù)量和所述第二導(dǎo)電區(qū)的數(shù)量相同且一一對應(yīng)。

10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電觸點的數(shù)量和所述第二導(dǎo)電觸點的數(shù)量相同。

11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一鍵合層的上表面還包括第一介質(zhì)層，所述第二鍵合層的上表面還包括第二介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層與所述第二介質(zhì)層相互接觸。

12.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電區(qū)和所述第二導(dǎo)電區(qū)是硅通孔。