[發(fā)明專利]蝕刻方法、等離子體處理裝置和基片處理系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010914258.8
• 申請(qǐng)日: 2020-09-03
• 公開（公告）號(hào): CN112509920A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 勝沼隆幸;本田昌伸;中根由太;石川慎也
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/311
• 分類號(hào): H01L21/311;H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

本發(fā)明提供一種利用容易與有機(jī)膜一起被去除的保護(hù)膜，來抑制因有機(jī)膜的等離子體蝕刻而導(dǎo)致的弓形歪曲的發(fā)生的蝕刻方法、等離子體處理裝置和基片處理系統(tǒng)。在一個(gè)例示的實(shí)施方式中，提供了一種蝕刻方法。蝕刻方法包括對(duì)有機(jī)膜執(zhí)行等離子體蝕刻的步驟(a)。在有機(jī)膜上形成有掩模。通過等離子體蝕刻在有機(jī)膜形成凹部。蝕刻方法還包括在劃分出凹部的有機(jī)膜的側(cè)壁面上形成有機(jī)保護(hù)膜。蝕刻方法還包括在步驟(b)之后執(zhí)行對(duì)有機(jī)膜的進(jìn)一步等離子體蝕刻的步驟(c)。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開例示的實(shí)施方式涉及蝕刻方法、等離子體處理裝置和基片處理系統(tǒng)。

背景技術(shù)

下述專利文獻(xiàn)1公開了有機(jī)膜的等離子體蝕刻。在專利文獻(xiàn)1的等離子體蝕刻中，使用含有氧氣、硫化羰氣體和氯氣的混合氣體。有機(jī)膜在硫和氯化硅附著于有機(jī)膜的側(cè)壁面的同時(shí)被蝕刻。因此，抑制了因有機(jī)膜的蝕刻而形成的凹部在橫向上擴(kuò)寬。即，抑制了弓形歪曲(bowing)，從而改善了凹部的形狀。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：特開2015-12178號(hào)公報(bào)。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

本公開提供了一種利用容易與有機(jī)膜一起被去除的保護(hù)膜，來抑制因有機(jī)膜的等離子體蝕刻而導(dǎo)致的弓形歪曲的發(fā)生的技術(shù)。

用于解決問題的技術(shù)手段

在一個(gè)例示的實(shí)施方式中，提供了蝕刻方法。蝕刻方法包括對(duì)有機(jī)膜執(zhí)行等離子體蝕刻的步驟(a)。在有機(jī)膜上形成有掩模。通過等離子體蝕刻，在有機(jī)膜形成凹部。蝕刻方法還包括在劃分出凹部的有機(jī)膜的側(cè)壁面上形成有機(jī)保護(hù)膜的步驟(b)。蝕刻方法包括在步驟(b)之后執(zhí)行對(duì)有機(jī)膜的進(jìn)一步等離子體蝕刻的步驟(c)。

發(fā)明效果

根據(jù)一個(gè)例示的實(shí)施方式，能夠利用容易與有機(jī)膜一起被去除的保護(hù)膜，來抑制因有機(jī)膜的等離子體蝕刻而導(dǎo)致的弓形歪曲的發(fā)生。

附圖說明

圖1是一個(gè)例示的實(shí)施方式的蝕刻方法的流程圖。

圖2是一個(gè)例子的基片的一部分放大截面圖。

圖3是概要地示出一個(gè)例示的實(shí)施方式的等離子體處理裝置的圖。

圖4是示出圖3所示的等離子體處理裝置中的多個(gè)加熱器的布置的圖。

圖5的(a)是在圖1所示的蝕刻方法的步驟ST1執(zhí)行后的狀態(tài)下的一個(gè)例子的基片的一部分放大截面圖，圖5的(b)是在圖1所示的蝕刻方法的步驟ST2執(zhí)行后的狀態(tài)下的一個(gè)例子的基片的一部分放大截面圖。

圖6的(a)是在圖1所示的蝕刻方法的步驟ST3執(zhí)行后的狀態(tài)下的一個(gè)例子的基片的一部分放大截面圖，圖6的(b)是在有機(jī)膜的蝕刻結(jié)束時(shí)的狀態(tài)下的一個(gè)例子的基片的一部分放大截面圖。

圖7的(a)是在圖1所示的蝕刻方法的步驟ST4執(zhí)行后的狀態(tài)下的一個(gè)例子的基片的一部分放大截面圖，圖7的(b)是在圖1所示的蝕刻方法的步驟ST5執(zhí)行后的狀態(tài)下的一個(gè)例子的基片的一部分放大截面圖。

圖8的(a)是在膜EF的蝕刻結(jié)束時(shí)的狀態(tài)下的一個(gè)例子的基片的一部分放大截面圖，圖8的(b)是在圖1所示的蝕刻方法的步驟ST6執(zhí)行后的狀態(tài)下的一個(gè)例子的基片的一部分放大截面圖。

圖9是圖1所示的蝕刻方法的步驟ST2的一個(gè)例子的流程圖。

圖10是圖1所示的蝕刻方法的步驟ST2的另一個(gè)例子的流程圖。

圖11是概要地示出一個(gè)例示的實(shí)施方式的基片處理系統(tǒng)的圖。

圖12的(a)、圖12的(b)和圖12的(c)是示出實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖。