[發明專利]蝕刻方法、等離子體處理裝置和基片處理系統

在審

• 申請號: 202010914258.8
• 申請日: 2020-09-03
• 公開（公告）號: CN112509920A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 勝沼隆幸;本田昌伸;中根由太;石川慎也
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

1.一種蝕刻方法，其特征在于，包括：

步驟(a)，對有機膜執行等離子體蝕刻，其中，在該有機膜上形成有掩模，通過該等離子體蝕刻在所述有機膜形成凹部；

步驟(b)，在劃分出所述凹部的所述有機膜的側壁面上形成有機保護膜；和

步驟(c)，在所述步驟(b)之后，執行對所述有機膜的進一步等離子體蝕刻。

2.如權利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于：

交替地反復執行所述步驟(b)和所述步驟(c)。

3.如權利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述掩模含有硅。

4.如權利要求1～3中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述步驟(b)在所述凹部的深寬比為5以下時開始執行。

5.如權利要求1～4中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述有機保護膜共形地形成在具有所述步驟(a)之后的狀態的所述有機膜的基片的表面上。

6.如權利要求1～5中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述有機膜是設置在其他膜上的，

所述蝕刻方法還包括在通過所述步驟(c)而使所述其他膜局部地露出之后，對所述其他膜執行等離子體蝕刻的步驟(d)。

7.如權利要求6所述的蝕刻方法，其特征在于：

還包括在所述步驟(d)之后執行去除所述有機膜的灰化處理的步驟(e)。

8.如權利要求6或7所述的蝕刻方法，其特征在于：

還包括在所述步驟(d)之后，在所述有機膜和所述其他膜中的劃分出連續的凹部的側壁面上，進一步形成有機保護膜的步驟(f)，

在所述步驟(f)之后，再次執行所述步驟(d)。

9.一種用于蝕刻有機膜的等離子體處理裝置，其特征在于：

在該有機膜上形成有掩模，

所述等離子體處理裝置包括：

腔室；

設置在所述腔室內的基片支承器；

氣體供給部，其構成為能夠向所述腔室內供給含有碳的前體氣體和用于蝕刻有機膜的處理氣體；

高頻電源，其構成為能夠為了在所述腔室內使氣體生成等離子體而產生高頻電功率；和

控制部，其構成為能夠控制所述氣體供給部和所述高頻電源，

所述控制部進行以下控制，即：

為了對所述有機膜執行等離子體蝕刻來在該有機膜形成凹部，而控制所述氣體供給部使其向所述腔室內供給所述處理氣體，并且控制所述高頻電源使其供給所述高頻電功率以使得從所述處理氣體生成等離子體；

為了在劃分出所述凹部的所述有機膜的側壁面上形成有機保護膜，而控制所述氣體供給部使其向所述腔室內供給所述前體氣體；

為了執行對所述有機膜的進一步等離子體蝕刻，而控制所述氣體供給部使其向所述腔室內供給所述處理氣體，并且控制所述高頻電源使其供給所述高頻電功率以使得從所述處理氣體生成等離子體。

10.一種用于蝕刻基片的有機膜的基片處理系統，其特征在于：

所述基片具有所述有機膜和設置在該有機膜上的掩模，

所述基片處理系統包括：

一個以上的等離子體處理裝置；

成膜裝置；

輸送組件，其提供與所述一個以上的等離子體處理裝置和所述成膜裝置連接的能夠減壓的空間，并且構成為能夠經由該空間向所述一個以上的等離子體處理裝置和所述成膜裝置輸送所述基片；和

控制部，其構成為能夠控制所述一個以上的等離子體處理裝置、所述成膜裝置和所述輸送組件，

所述控制部進行以下控制，即：

控制所述輸送組件使其將所述基片輸送到所述一個以上的等離子體處理裝置中的一個等離子體處理裝置；

為了對所述有機膜執行等離子體蝕刻來在該有機膜形成凹部，而控制所述一個等離子體處理裝置使其生成處理氣體的等離子體；

控制所述輸送組件使其將執行了所述等離子體蝕刻的所述基片輸送到所述成膜裝置；

控制所述成膜裝置使其執行在劃分出所述凹部的所述有機膜的側壁面上形成有機保護膜的成膜處理；

控制所述輸送組件使其將執行了所述成膜處理的所述基片輸送到所述一個以上的等離子體處理裝置中的一個等離子體處理裝置；

為了執行對所述有機膜的進一步等離子體蝕刻，而對執行了所述成膜處理的所述基片所輸送到的所述一個等離子體處理裝置進行控制，使其生成處理氣體的等離子體。