[發(fā)明專利]OLED面板的制作方法、OLED面板

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010914076.0
• 申請日: 2020-09-03
• 公開（公告）號: CN112117311A
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周星宇
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 徐世俊

本發(fā)明公開了一種OLED面板的制作方法、OLED面板。現(xiàn)有的OLED面板存在開口率低、電容存儲能力差的問題。本發(fā)明通過將第一導(dǎo)體層與遮光層搭接，將像素電極與源極連接，去除電容區(qū)域的平坦層和鈍化層，提高了OLED面板的開口率，電容存儲能力大幅提升，設(shè)計自由度更高，可應(yīng)用于更大尺寸的OLED面板，提高了電容保持能力。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，具體涉及一種OLED面板的制作方法、OLED面板。

背景技術(shù)

有機發(fā)光器件OLED(Organic Light Emitting Diode)相對于液晶顯示器(LCD)，具有自發(fā)光、反應(yīng)快、視角廣、亮度高、色彩艷、輕薄等優(yōu)點，被認為是下一代顯示技術(shù)。其中，對于底發(fā)射型顯示面板而言，開口率和電容的存儲能力是衡量其優(yōu)劣的重要參數(shù)之一。

圖1為一種現(xiàn)有OLED面板的結(jié)構(gòu)圖。如圖1所示，該面板包括基板101、遮光層102、第一導(dǎo)體層103、緩沖層104、有源層105、第二導(dǎo)體層106、柵極絕緣層107、柵極108、第二絕緣層109、源極110、漏極111、鈍化層112、平坦層113、像素電極114和像素定義層115。現(xiàn)有技術(shù)中，將第一半導(dǎo)體層103、緩沖層104和第二半導(dǎo)體層106作為透明電容結(jié)構(gòu)應(yīng)用于底發(fā)射OLED，由于透明電容結(jié)構(gòu)不會影響電容區(qū)域，開口率增大，但是電容的存儲能力受限。

因此，如何同時提高OLED面板的開口率和電容存儲能力成為了本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題和始終研究的重點。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種OLED面板的制作方法、OLED面板，以解決現(xiàn)有的OLED面板的開口率低、電容存儲能力低的問題。

為此，本發(fā)明實施例提供了如下技術(shù)方案：

本發(fā)明第一方面提供了一種OLED面板的制作方法，包括如下步驟：

在基板上形成遮光層；

在所述基板和所述遮光層上涂布透明金屬氧化物，并對所述透明金屬氧化物進行圖案化，形成第一導(dǎo)體層，所述第一導(dǎo)體層的一端與所述遮光層搭接；

在所述基板上依次沉積緩沖層、半導(dǎo)體層、第一絕緣層和第一金屬層，并對所述半導(dǎo)體層、所述第一絕緣層和所述第一金屬層進行圖案化，形成第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層、柵極絕緣層和柵極，所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層間隔設(shè)置；

以所述柵極及所述柵極絕緣層為遮擋，對所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層進行等離子處理，得到有源層以及與所述有源層間隔設(shè)置的第二導(dǎo)體層；

形成覆蓋所述緩沖層、第一導(dǎo)體層、第二導(dǎo)體層、柵極絕緣層和柵極的第二絕緣層，并對所述第二絕緣層和所述緩沖層進行圖案化，形成暴露出有源層的第一過孔、暴露出有源層的第二過孔和暴露出遮光層的第三過孔；

在所述第二絕緣層上形成第二金屬層，并對所述第二金屬層進行圖案化，形成源極和漏極，所述漏極通過所述第一過孔與所述有源層連接，所述源極通過所述第二過孔與所述有源層連接，所述源極通過所述第三過孔與所述遮光層連接；

形成覆蓋所述緩沖層、所述源極和所述漏極的鈍化層；

形成覆蓋所述鈍化層的平坦層，并對所述鈍化層和所述平坦層進行圖案化，形成暴露出源極的第四過孔和暴露出第二絕緣層的開口；

在所述平坦層和所述開口上涂布透明金屬氧化物，并對所述透明金屬氧化物進行圖案化，形成像素電極，所述像素電極通過所述第四過孔與所述源極連接；

形成覆蓋所述平坦層和所述像素電極的像素定義層，并對所述像素定義層進行圖案化暴露出位于所述開口上方的像素電極。

進一步地，所述第一透明導(dǎo)電層、緩沖層、第二透明導(dǎo)電層、第二絕緣層與所述像素電極形成三層夾心透明電容結(jié)構(gòu)。