[發明專利]OLED面板的制作方法、OLED面板

在審

• 申請號: 202010914076.0
• 申請日: 2020-09-03
• 公開（公告）號: CN112117311A
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發明（設計）人: 周星宇
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 徐世俊

1.一種OLED面板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

在基板上形成遮光層；

在所述基板和所述遮光層上涂布透明金屬氧化物，并對所述透明金屬氧化物進行圖案化，形成第一導體層，所述第一導體層的一端與所述遮光層搭接；

在所述基板上依次沉積緩沖層、半導體層、第一絕緣層和第一金屬層，并對所述半導體層、所述第一絕緣層和所述第一金屬層進行圖案化，形成第一半導體層、第二半導體層、柵極絕緣層和柵極，所述第一半導體層與所述第二半導體層間隔設置；

以所述柵極及所述柵極絕緣層為遮擋，對所述第一半導體層與所述第二半導體層進行等離子處理，得到有源層以及與所述有源層間隔設置的第二導體層；

形成覆蓋所述緩沖層、第一導體層、第二導體層、柵極絕緣層和柵極的第二絕緣層，并對所述第二絕緣層和所述緩沖層進行圖案化，形成暴露出有源層的第一過孔、暴露出有源層的第二過孔和暴露出遮光層的第三過孔；

在所述第二絕緣層上形成第二金屬層，并對所述第二金屬層進行圖案化，形成源極和漏極，所述漏極通過所述第一過孔與所述有源層連接，所述源極通過所述第二過孔與所述有源層連接，所述源極通過所述第三過孔與所述遮光層連接；

形成覆蓋所述緩沖層、所述源極和所述漏極的鈍化層；

形成覆蓋所述鈍化層的平坦層，并對所述鈍化層和所述平坦層進行圖案化，形成暴露出源極的第四過孔和暴露出第二絕緣層的開口；

在所述平坦層和所述開口上涂布透明金屬氧化物，并對所述透明金屬氧化物進行圖案化，形成像素電極，所述像素電極通過所述第四過孔與所述源極連接；

形成覆蓋所述平坦層和所述像素電極的像素定義層，并對所述像素定義層進行圖案化暴露出位于所述開口上方的像素電極。

2.根據權利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述第一透明導電層、緩沖層、第二透明導電層、第二絕緣層與所述像素電極形成三層夾心透明電容結構。

3.根據權利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述遮光層的材質為Mo，Al，Cu，Ti中的一種或幾種；

所述遮光層的厚度為2000-10000A；

所述第一透明導電層的厚度為200-2000A；

所述緩沖層的厚度為1000-5000A；

所述緩沖層的材質為SiOx和SiNx中的一種或兩種的組合。

4.根據權利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述第四過孔通過黃光置備。

5.根據權利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述半導體層的厚度為100-1000A；

所述半導體層的材質為IGZO，IZTO，IGZTO中的一種；

所述柵極絕緣層的厚度為1000-3000A；

所述源漏金屬層的材質為Mo，Al，Cu，Ti中的一種或幾種，厚度為2000-8000A。

6.根據權利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述第二絕緣層的材質為SiOx和SiNx中的一種或兩種的組合；

所述第二絕緣層的厚度為2000A-10000A。

7.根據權利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述鈍化層的材質為SiOx和SiNx中的一種或兩種的組合；

所述鈍化層的厚度為1000-5000A；

所述像素電極的材質為ITO或IZO；

所述像素電極的厚度為200-2000A。