[發明專利]顯示面板及其制備方法

在審

• 申請號: 202010913140.3
• 申請日: 2020-09-03
• 公開（公告）號: CN111969034A
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發明（設計）人: 林高波
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 楊艇要

本申請提供一種顯示面板及其制備方法，在顯示面板中，本申請通過在第二輔助電極的下方形成底切結構，使陰極與第一輔助電極具有搭接區域，且陰極和第一輔助電極連接，進而達到改善顯示面板的電流壓降的效果。

技術領域

本申請涉及一種顯示技術領域，特別涉及一種顯示面板及其制備方法。

背景技術

在現有的有機發光二極管顯示面板中，為了增大頂發射的透過率，金屬陰極的厚度較薄，造成方阻較大，電流壓降(IR-drop)嚴重，導致顯示面板有明顯的亮度不均勻現象，嚴重影響了OLED顯示裝置的顯示效果。

發明內容

本申請實施例提供一種顯示面板及其制備方法，以解決現有的有機發光二極管顯示面板因陰極厚度較薄，造成方阻較大，電流壓降嚴重的技術問題。

本申請實施例提供一種顯示面板，其包括：

在陣列基板上形成圖案化的第二輔助電極，所述陣列基板包括形成有第一過孔的保護層，所述第一過孔裸露第一輔助電極，所述第二輔助電極延伸入所述第一過孔并與所述第一輔助電極相連；

底切結構，所述底切結構形成在所述保護層且延伸至所述第二輔助電極的正下方，所述底切結構裸露所述第一輔助電極；

平坦層，所述平坦層設置在所述第二輔助電極和所述保護層上；

陽極，所述陽極設置在所述平坦層上；

像素定義層，所述像素定義層設置在所述陽極和所述平坦層上，所述像素定義層形成有連通所述底切結構的第一開口；

有機發光層，所述有機發光層設置在所述像素定義層上，所述有機發光層不完全覆蓋所述第一輔助電極的裸漏部分；以及

陰極，所述陰極設置在所述有機發光層上，所述陰極延伸入所述底切結構且與所述第一輔助電極相連。

在本申請實施例所述的顯示面板中，所述底切結構裸露所述第二輔助電極，所述陰極通過所述底切結構與所述第二輔助電極相連。

在本申請實施例所述的顯示面板中，所述陣列基板包括源極和漏極，所述第一輔助電極、所述源極和所述漏極同層設置。

在本申請實施例所述的顯示面板中，所述保護層形成有裸露所述第一輔助電極的第一過孔，所述第二輔助電極延伸入所述第一過孔并與所述第一輔助電極相連；

所述平坦層形成有裸露所述源極的第二過孔，所述陽極延伸入所述第二過孔并與所述源極相連；

所述像素定義層形成有裸露所述陽極的第二開口，所述有機發光層延伸入所述第二開口。

本申請還涉及一種顯示面板的制備方法，所述制備方法包括以下步驟：

在陣列基板上形成圖案化的第二輔助電極，所述陣列基板包括形成有第一過孔的保護層，所述第一過孔裸露第一輔助電極，所述第二輔助電極延伸入所述第一過孔并與所述第一輔助電極相連；

在所述保護層對應于所述第一輔助電極的區域形成底切結構，所述底切結構延伸至所述第二輔助電極的正下方，且裸露所述第一輔助電極；

在所述保護層上形成平坦層；

在所述平坦層上形成陽極；

在所述陽極上形成像素定義層，所述像素定義層形成有連通所述底切結構的第一開口；

在所述像素定義層上形成有機發光層，所述有機發光層不完全覆蓋所述第一輔助電極的裸漏部分；

在所述有機發光層上形成陰極，所述陰極延伸入所述底切結構且與所述第一輔助電極相連。