[發明專利]顯示面板及其制備方法

在審

• 申請號: 202010913140.3
• 申請日: 2020-09-03
• 公開（公告）號: CN111969034A
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發明（設計）人: 林高波
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 楊艇要

1.一種顯示面板，其特征在于，包括：

陣列基板，所述陣列基板包括第一輔助電極和設置在所述第一輔助電極上的保護層；

第二輔助電極，所述第二輔助電極設置在所述保護層上，且與所述第一輔助電極相連；

底切結構，所述底切結構形成在所述保護層且延伸至所述第二輔助電極的正下方，所述底切結構裸露所述第一輔助電極；

平坦層，所述平坦層設置在所述第二輔助電極和所述保護層上；

陽極，所述陽極設置在所述平坦層上；

像素定義層，所述像素定義層設置在所述陽極和所述平坦層上，所述像素定義層形成有連通所述底切結構的第一開口；

有機發光層，所述有機發光層設置在所述像素定義層上，所述有機發光層不完全覆蓋所述第一輔助電極的裸漏部分；以及

陰極，所述陰極設置在所述有機發光層上，所述陰極延伸入所述底切結構且與所述第一輔助電極相連。

2.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述陰極通過所述底切結構與所述第二輔助電極相連。

3.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述陣列基板包括源極和漏極，所述第一輔助電極、所述源極和所述漏極同層設置。

4.根據權利要求3所述的顯示面板，其特征在于，所述保護層形成有裸露所述第一輔助電極的第一過孔，所述第二輔助電極延伸入所述第一過孔并與所述第一輔助電極相連；

所述平坦層形成有裸露所述源極的第二過孔，所述陽極延伸入所述第二過孔并與所述源極相連；

所述像素定義層形成有裸露所述陽極的第二開口，所述有機發光層延伸入所述第二開口。

5.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在陣列基板上形成圖案化的第二輔助電極，所述陣列基板包括形成有第一過孔的保護層，所述第一過孔裸露第一輔助電極，所述第二輔助電極延伸入所述第一過孔并與所述第一輔助電極相連；

在所述保護層對應于所述第一輔助電極的區域形成底切結構，所述底切結構延伸至所述第二輔助電極的正下方，且裸露所述第一輔助電極；

在所述保護層上形成平坦層；

在所述平坦層上形成陽極；

在所述陽極上形成像素定義層，所述像素定義層形成有連通所述底切結構的第一開口；

在所述像素定義層上形成有機發光層，所述有機發光層不完全覆蓋所述第一輔助電極的裸漏部分；

在所述有機發光層上形成陰極，所述陰極延伸入所述底切結構且與所述第一輔助電極相連。

6.根據權利要求5所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，在所述保護層對應于所述第一輔助電極的區域形成底切結構，包括以下步驟：

在所述保護層上形成一光刻膠層，所述光刻膠層對應于待形成的底切結構的區域形成一缺口，所述缺口裸露所述保護層；

蝕刻所述保護層，以形成所述底切結構；

去除所述光刻膠層。

7.根據權利要求5所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，在所述像素定義層上形成有機發光層，具體包括：

在第一設定角度的方向上，所述底切結構伸入所述第二輔助電極正下方的部分被所述第二輔助電極遮擋；

在所述像素定義層上形成有機發光層，所述有機發光層延伸入所述底切結構未被所述第二輔助電極遮擋的部分。

8.根據權利要求7所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，在所述有機發光層上形成陰極，包括：

所述陰極延伸入所述底切結構且與所述第一輔助電極裸露的部分相連。

9.根據權利要求7所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，在所述有機發光層上形成陰極，包括：

在所述有機發光層上形成連續的陰極，所述陰極延伸入所述底切結構且分別與所述第一輔助電極和所述第二輔助電極裸露的部分相連。

10.根據權利要求5所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，所述陣列基板包括源極和漏極，所述第一輔助電極、所述源極和所述漏極同層設置；

在所述保護層上形成平坦層，包括：

在所述保護層上形成圖案化的平坦層，所述平坦層上形成有裸露所述源極的第二過孔；

在所述平坦層上形成陽極，包括：

在所述平坦層上形成陽極，所述陽極延伸入所述第二過孔并與所述源極相連；

在所述陽極上形成像素定義層，包括：

在所述陽極上形成像素定義層，所述像素定義層形成有裸露所述陽極的第二開口；

在所述像素定義層上形成有機發光層，包括：

在所述像素定義層上形成有機發光層，所述有機發光層延伸入所述第二開口。