[發(fā)明專利]電容器以及蝕刻方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010913133.3 | 申請日： | 2020-09-03 |
| 公開（公告）號： | CN112542313A | 公開（公告）日： | 2021-03-23 |
| 發(fā)明（設計）人： | 樋口和人;下川一生;小幡進;佐野光雄 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | H01G4/005 | 分類號： | H01G4/005;H01G4/228;C23F1/24;C23F1/02 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿軍 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電容器 以及 蝕刻 方法 | ||
1.一種電容器，具備：
導電基板，具有第一主面與第二主面，在所述第一主面的一部分的區(qū)域設置一個以上的第一凹部，在所述第二主面中的與所述第一主面的所述一部分的區(qū)域和所述第一主面的其他一部分的區(qū)域對應的區(qū)域設有一個以上的第二凹部；
導電層，覆蓋所述第一主面、所述第二主面、所述一個以上的第一凹部的側壁及底面、以及所述一個以上的第二凹部的側壁及底面；
電介質層，夾設于所述導電基板與所述導電層之間；
第一內部電極，設于所述第一主面的所述一部分的區(qū)域上，并與所述導電層電連接；以及
第二內部電極，設于所述第一主面的所述其他一部分的區(qū)域上，并與所述導電基板電連接。
2.如權利要求1所述的電容器，
所述一個以上的第二凹部的深度與所述一個以上的第一凹部的深度相比更大。
3.如權利要求1所述的電容器，
所述一個以上的第一凹部為一個以上的第一溝槽，所述一個以上的第二凹部為一個以上的第二溝槽，所述一個以上的第一溝槽的長度方向與所述一個以上的第二溝槽的長度方向相互交叉，所述一個以上的第一溝槽與所述一個以上的第二溝槽在彼此的交叉部彼此相連。
4.如權利要求1所述的電容器，
所述一個以上的第一凹部是分別向第一方向延伸的多個第一溝槽，所述多個第一溝槽形成分別由在所述第一方向上排列的兩個以上的第一溝槽構成、且在與所述第一方向交叉的第二方向上排列的多個第一列，所述多個第一列的相鄰的各兩個中的被在所述第一方向上排列的所述兩個以上的第一溝槽夾著的第一部分的位置不同，
所述一個以上的第二凹部是分別向第三方向延伸的多個第二溝槽，所述多個第二溝槽形成分別由在所述第三方向上排列的兩個以上的第二溝槽構成、且在與所述第三方向交叉的第四方向上排列的多個第二列，所述多個第二列的相鄰的各兩個中的被在所述第三方向上排列的所述兩個以上的第二溝槽夾著的第二部分的位置不同。
5.一種蝕刻方法，包括如下工序：
在半導體基板的一方的主面形成包含貴金屬的第一催化劑層；
在所述半導體基板的另一方的主面形成包含所述貴金屬、且每單位面積的所述貴金屬的質量與所述第一催化劑層的每單位面積的所述貴金屬的質量不同的第二催化劑層；以及
之后，向所述一方的主面及所述另一方的主面供給包含氧化劑與氟化氫的蝕刻劑。
6.如權利要求5所述的蝕刻方法，
所述第一催化劑層形成于所述一方的主面的一部分的區(qū)域，所述第二催化劑層形成于所述另一方的主面中的與所述一方的主面的所述一部分的區(qū)域和所述一方的主面的其他一部分的區(qū)域對應的區(qū)域。
7.如權利要求6所述的蝕刻方法，
以所述第二催化劑層與所述第一催化劑層相比具有更大的每單位面積的所述貴金屬的質量的方式形成所述第一催化劑層以及第二催化劑層。
8.如權利要求5所述的蝕刻方法，
通過所述蝕刻劑的供給，在所述一方的主面中的所述第一催化劑層的位置形成一個以上的第一凹部，在所述另一方的主面中的所述第二催化劑層的位置形成一個以上的第二凹部。
9.如權利要求8所述的蝕刻方法，
所述一個以上的第一凹部為一個以上的第一溝槽，所述一個以上的第二凹部為一個以上的第二溝槽，所述一個以上的第一溝槽的長度方向與所述一個以上的第二溝槽的長度方向相互交叉，所述一個以上的第一溝槽與所述一個以上的第二溝槽在彼此的交叉部彼此相連。
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