[發明專利]一種量子點發光二極管及其制備方法和雙向交替發光系統在審
| 申請號: | 202010908338.2 | 申請日: | 2020-09-01 |
| 公開(公告)號: | CN111816782A | 公開(公告)日: | 2020-10-23 |
| 發明(設計)人: | 龍能文;完亮亮;駱意勇 | 申請(專利權)人: | 合肥福納科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/56;H05B45/30 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 蔣姍 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市新站*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 量子 發光二極管 及其 制備 方法 雙向 交替 發光 系統 | ||
本申請提供一種量子點發光二極管及其制備方法和雙向交替發光系統,該量子點發光二極管包括公共電極層,其用于傳輸電子以及空穴并與外部的交流電源的第一端連接;陰極金屬層和陽極金屬層,陰極金屬層設置于公共電極層的上方,陽極金屬層設置于公共電極層的下方,陰極金屬層和陽極金屬層的極性不同,其分別用于與外部的交流電源的第二端連接;第一量子點發光功能層和第二量子點發光功能層,第一量子點發光功能層設置于公共電極層和陰極金屬層之間,第二量子點發光功能層設置于公共電極層和陽極金屬層之間,以用于外部的交流電源供電電流方向不斷變化時第一量子點發光功能層和第二量子點發光功能層交替發光。
技術領域
本申請涉及二極管技術領域,具體而言,涉及一種量子點發光二極管及其制備方法和雙向交替發光系統。
背景技術
目前主流的量子點發光二極管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)只能單向發光或雙向同時發光,但在一些特定的適用場景下應用雙面進行交替發光量子點發光二極管更加適用,但目前沒有一種良好的雙面交替發光的量子點二極管結構設計。
發明內容
本申請實施例的目的在于提供一種量子點發光二極管及其制備方法和雙向交替發光系統,用以提供一種量子點發光二極管及其制備和應用系統以解決目前沒有一種良好的雙面交替發光的量子點二極管結構設計的問題。
第一方面,本發明實施例提供一種量子點發光二極管,包括:公共電極層,其用于傳輸電子以及空穴;第一量子點發光功能層,其設置于所述公共電極層的上表面,以用于接收所述公共電極層傳輸的空穴;第二量子點發光功能層,其設置于所述公共電極層的下表面,以用于接收所述公共電極層傳輸的電子;陰極金屬層,其設置于所述第一量子點發光功能層的上表面,以用于向所述第一量子點發光功能層傳輸電子,以使所述第一量子點發光功能層根據所述公共電極層傳輸的空穴以及陰極金屬層傳輸的電子進行反應后發光;陽極金屬層,其設置于所述第二量子點發光功能層的下表面,以用于向所述第二量子點發光功能層傳輸空穴,以使所述第二量子點發光功能層根據所述公共電極層傳輸的電子以及陰極金屬層傳輸的空穴進行反應后發光。
在上述設計的量子點發光二極管中,陰極金屬層和公共電極層可以分別為第一量子點發光功能層傳輸電子和空穴,陽極金屬層和公共電極層可以分別為第二量子點發光功能層傳輸空穴和電子,使得在公共電極層、陰極金屬層和陽極金屬層與外部交流電源連接之后,在外部交流電源的供電電流在正反方向不斷變化時第一量子點發光功能層和第二量子點發光功能層不斷地交替發光,使得打破了量子點發光二極管只能單向或雙向發光的壁壘,解決了目前沒有一種良好的雙面交替發光的量子點二極管結構設計的問題,使得量子點發光二極管能夠雙面交替發光,進而適用于更加的實際場景,提高量子點二極管的適用性。
在第一方面的可選實施方式中,所述第一量子點發光功能層包括設置于所述公共電極層上表面的第一空穴傳輸層、設置于所述第一空穴傳輸層上表面的第一發光層以及設置于所述第一發光層上表面的第一電子傳輸層;所述第二量子點發光功能層包括設置于所述公共電極層下表面的第二電子傳輸層、設置于所述第二電子傳輸層下表面的第二發光層以及設置于所述第二發光層下表面的第二空穴傳輸層;所述陰極金屬層設置于所述第一電子傳輸層的上表面,所述陽極金屬層設置于所述第二空穴傳輸層的下表面。
在第一方面的可選實施方式中,所述第一量子點發光功能層還包括第一空穴注入層,所述第一空穴注入層設置于所述公共電極層和第一空穴傳輸層之間;所述第二量子點發光功能層還包括第二空穴注入層,所述第二空穴注入層設置于所述陽極金屬層和第二空穴傳輸層之間。
在第一方面的可選實施方式中,所述公共電極層包括用于向所述第一量子點發光功能層傳輸空穴的連接層以及用于向所述第二量子點發光功能層傳輸電子的金屬反光電極層,所述金屬反光電極層設置于所述第二電子傳輸層的上表面,所述連接層設置于所述金屬反光電極層的上表面,所述第一空穴注入層設置于所述連接層的上表面。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于合肥福納科技有限公司,未經合肥福納科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010908338.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





