[發明專利]一種量子點發光二極管及其制備方法和雙向交替發光系統

在審

• 申請號: 202010908338.2
• 申請日: 2020-09-01
• 公開（公告）號: CN111816782A
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 龍能文;完亮亮;駱意勇
• 申請（專利權）人: 合肥福納科技有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56;H05B45/30
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 蔣姍

1.一種量子點發光二極管，其特征在于，包括：

公共電極層，其用于傳輸電子以及空穴；

第一量子點發光功能層，其設置于所述公共電極層的上表面，以用于接收所述公共電極層傳輸的空穴；

第二量子點發光功能層，其設置于所述公共電極層的下表面，以用于接收所述公共電極層傳輸的電子；

陰極金屬層，其設置于所述第一量子點發光功能層的上表面，以用于向所述第一量子點發光功能層傳輸電子，以使所述第一量子點發光功能層根據所述公共電極層傳輸的空穴以及陰極金屬層傳輸的電子進行反應后發光；

陽極金屬層，其設置于所述第二量子點發光功能層的下表面，以用于向所述第二量子點發光功能層傳輸空穴，以使所述第二量子點發光功能層根據所述公共電極層傳輸的電子以及陰極金屬層傳輸的空穴進行反應后發光。

2.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述第一量子點發光功能層包括設置于所述公共電極層上表面的第一空穴傳輸層、設置于所述第一空穴傳輸層上表面的第一發光層以及設置于所述第一發光層上表面的第一電子傳輸層；

所述第二量子點發光功能層包括設置于所述公共電極層下表面的第二電子傳輸層、設置于所述第二電子傳輸層下表面的第二發光層以及設置于所述第二發光層下表面的第二空穴傳輸層；

所述陰極金屬層設置于所述第一電子傳輸層的上表面，所述陽極金屬層設置于所述第二空穴傳輸層的下表面。

3.根據權利要求2所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述第一量子點發光功能層還包括第一空穴注入層，所述第一空穴注入層設置于所述公共電極層和第一空穴傳輸層之間；所述第二量子點發光功能層還包括第二空穴注入層，所述第二空穴注入層設置于所述陽極金屬層和第二空穴傳輸層之間。

4.根據權利要求3所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述公共電極層包括用于向所述第一量子點發光功能層傳輸空穴的連接層以及用于向所述第二量子點發光功能層傳輸電子的金屬反光電極層，所述金屬反光電極層設置于所述第二電子傳輸層的上表面，所述連接層設置于所述金屬反光電極層的上表面，所述第一空穴注入層設置于所述連接層的上表面。

5.一種量子點發光二極管的制備方法，其特征在于，用于制備權利要求1-4中任一項所述的量子點發光二極管，所述方法包括：

在透明的基板上沉積所述陽極金屬層；

在沉積完成的所述陽極金屬層上沉積所述第二量子點發光功能層；

在沉積完成的所述第二量子點發光功能層上沉積所述公共電極層；

在沉積完成的所述公共電極層上沉積所述第一量子點發光功能層；

在所述第一量子點發光功能層上沉積所述陰極金屬層，以完成所述量子點發光二極管的制備。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述在沉積完成的所述第二量子點發光功能層上沉積所述公共電極層，包括：

在沉積完成的所述第二量子點發光功能層上沉積金屬反光電極層以及在沉積完成的所述金屬反光電極層上沉積連接層。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述在沉積完成的所述陽極金屬層上沉積所述第二量子點發光功能層，包括：

在沉積完成的所述陽極金屬層上沉積第二空穴傳輸層，在沉積完成的所述第二空穴傳輸層上沉積第二發光層，在沉積完成的所述第二發光層上沉積第二電子傳輸層，以完成所述第二量子點發光功能層的制備；

所述在沉積完成的所述第二量子點發光功能層上沉積所述金屬反光電極層，包括：在沉積完成的所述第二電子傳輸層上沉積所述金屬反光電極層；

所述在沉積完成的所述公共電極層上沉積所述第一量子點發光功能層，包括：在沉積完成的所述連接層上沉積第一空穴傳輸層，在沉積完成的所述第一空穴傳輸層上沉積第一發光層，在沉積完成的所述第一發光層上沉積第一電子傳輸層，以完成所述第一量子點發光功能層的制備；

所述在所述第一量子點發光功能層上沉積所述陰極金屬層，包括：

在沉積完成的所述第一電子傳輸層上沉積所述陰極金屬層，以完成所述量子點發光二極管的制備。