[發明專利]一種LED芯片的封裝方法

在審

• 申請號: 202010907922.6
• 申請日: 2020-09-02
• 公開（公告）號: CN111969093A
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發明（設計）人: 麥家通;戴軻
• 申請（專利權）人: 安晟技術（廣東）有限公司
• 主分類號: H01L33/54
• 分類號: H01L33/54;H01L33/50;H01L25/075;H01L33/56
• 代理公司: 中山市銘洋專利商標事務所(普通合伙) 44286
• 代理人: 許湘如

1.一種LED芯片的封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、提供載體，以及排布在所述載體上的LED芯片的矩陣陣列，相鄰的所述LED芯片之間具有第一間隙；

S2、在LED芯片的矩陣陣列上涂覆熒光膠，使熒光膠填充所述第一間隙，以及覆蓋LED芯片的頂面；

S3、烘干固化所述熒光膠得到熒光膜層；

S4、切割所述LED芯片的矩陣陣列，使LED芯片之間產生第二間隙，切割后LED芯片的四側以及頂側包覆所述熒光膜層；

S5、在LED芯片的矩陣陣列上涂覆色劑膠，使色劑膠覆蓋所述熒光膜層以及填充所述第二間隙；

S6、烘干固化所述色劑膠得到色劑膜層；

S7、切割所述LED芯片的矩陣陣列，得到LED芯片封裝件。

2.根據權利要求1所述的LED芯片的封裝方法，其特征在于，所述烘干固化操作在加熱模具內進行，所述加熱模具包括上加熱模和下加熱模；所述載體置于下加熱模具內，烘干固化時，所述上加熱模具的底面壓在LED芯片的矩陣陣列上。

3.根據權利要求2所述的LED芯片的封裝方法，其特征在于，步驟S3和S6的烘干固化條件為：上加熱模的溫度為135-150℃；下加熱膜的溫度為95-120℃。

4.根據權利要求1所述的LED芯片的封裝方法，其特征在于，所述熒光膠的制備方法包括以下步驟：

稱取85～115重量份的AB膠、76～83重量份的熒光粉、0.3～0.8重量份的防沉降粉和1～3重量份的擴散粉，混合攪拌均勻后真空脫泡。

5.根據權利要求4所述的LED芯片的封裝方法，其特征在于，所述防沉降粉包括納米硅酸鋁、超細硅酸鈣和氣相二氧化硅，所述納米硅酸鋁、超細硅酸鈣和氣相二氧化硅的質量比為1：2：4。

6.根據權利要求4所述的LED芯片的封裝方法，其特征在于，所述擴散粉為由粒徑是1.0μm和2.0μm的兩種有機硅擴散劑按1：1的比例混合而成的粉體。

7.根據權利要求1所述的LED芯片的封裝方法，其特征在于，所述色劑膠的制備方法包括以下步驟：

稱取85～115重量份的AB膠和10-20重量份的色劑，混合攪拌均勻后真空脫泡。

8.根據權利要求1-7任一項所述的LED芯片的封裝方法，其特征在于，所述LED芯片為藍光LED芯片，所述熒光粉為黃色熒光粉。