[發明專利]晶圓電性檢測方法

在審

• 申請號: 202010906917.3
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN112038251A
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發明（設計）人: 閆玉琴;程劉鎖;米魁;范曉;王函;陳廣龍
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01R31/26;G01R31/28
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

本申請公開了一種晶圓電性檢測方法，涉及半導體制造領域。該晶圓電性檢測方法包括對晶圓進行熱處理，去除所述晶圓上焊盤表面的水汽；將所述晶圓放置在電性檢測機臺，對所述晶圓進行電性測試；解決了目前受水汽影響的晶圓測試出的漏電參數等電性參數不準確的問題；達到了消除水汽影響，提高電性參數測量準確性的效果。

技術領域

本申請涉及半導體制造領域，具體涉及一種晶圓電性檢測方法。

背景技術

在半導體器件的制造過程中，在不同階段會對半導體器件進行性能測試，以判斷半導體器件的性能是否達到預期。在半導體器件封裝之前，會有一些濕法制程，比如洗刷去除缺陷，或，環境本身水汽較大，晶圓上的焊盤受到影響，焊盤表面引入水汽。

在焊盤表面引入水汽后，焊盤表面的接觸電阻可能會發生變化，在對晶圓進行電性測試時，焊盤表面的水汽會影響測試數據的準確性。

發明內容

為了解決相關技術中的問題，本申請提供了一種晶圓電性檢測方法。該技術方案如下：

一方面，本申請實施例提供了一種晶圓電性檢測方法，該方法包括：

對晶圓進行熱處理，去除所述晶圓上焊盤表面的水汽；

將所述晶圓放置在電性檢測機臺，對所述晶圓進行電性測試。

可選的，所述將所述晶圓放置在電性檢測機臺，對所述晶圓進行電性測試，包括：

將所述晶圓放置在電性檢測機臺，檢測所述晶圓的漏電參數。

可選的，所述對晶圓進行熱處理，去除所述晶圓上焊盤表面的水汽，包括：

將所述晶圓在預定溫度下加熱至少30分鐘，烘干所述晶圓上焊盤表面的水汽。

可選的，所述預定溫度為250℃至350℃。

可選的，所述對晶圓進行熱處理，去除所述晶圓上焊盤表面的水汽，包括：

將所述晶圓放入烘箱進行熱處理，烘干所述晶圓上焊盤表面的水汽。

可選的，所述對晶圓進行熱處理，去除所述晶圓上焊盤表面的水汽，包括：

將所述晶圓放入真空烘烤腔體進行熱處理，烘干所述晶圓上焊盤表面的水汽。

可選的，所述晶圓經過濕法制程處理。

可選的，所述晶圓電性檢測方法應用于晶圓封裝之前。

本申請技術方案，至少包括如下優點：

通過在進行電性檢測之前對晶圓進行加熱處理，去除晶圓上焊盤表面的水汽，消除水汽對焊盤表面接觸電阻的影響，然后再進行晶圓的電性檢測，解決了目前受水汽影響的晶圓測試出的漏電參數等電性參數不準確的問題；達到了消除水汽影響，提高電性參數測量準確性的效果。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請具體實施方式或現有技術中的技術方案，下面將對具體實施方式或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本申請的一些實施方式，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本申請實施例提供的一種晶圓電性檢測方法的流程圖。

具體實施方式

下面將結合附圖，對本申請中的技術方案進行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實施例是本申請的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本申請中的實施例，本領域普通技術人員在不做出創造性勞動的前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本申請保護的范圍。