[發明專利]晶圓電性檢測方法

在審

• 申請號: 202010906917.3
• 申請日: 2020-08-31
• 公開（公告）號: CN112038251A
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發明（設計）人: 閆玉琴;程劉鎖;米魁;范曉;王函;陳廣龍
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01R31/26;G01R31/28
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

1.一種晶圓電性檢測方法，其特征在于，所述方法包括：

對晶圓進行熱處理，去除所述晶圓上焊盤表面的水汽；

將所述晶圓放置在電性檢測機臺，對所述晶圓進行電性測試。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述將所述晶圓放置在電性檢測機臺，對所述晶圓進行電性測試，包括：

將所述晶圓放置在電性檢測機臺，檢測所述晶圓的漏電參數。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對晶圓進行熱處理，去除所述晶圓上焊盤表面的水汽，包括：

將所述晶圓在預定溫度下加熱至少30分鐘，烘干所述晶圓上焊盤表面的水汽。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述預定溫度為250℃至350℃。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對晶圓進行熱處理，去除所述晶圓上焊盤表面的水汽，包括：

將所述晶圓放入烘箱進行熱處理，烘干所述晶圓上焊盤表面的水汽。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對晶圓進行熱處理，去除所述晶圓上焊盤表面的水汽，包括：

將所述晶圓放入真空烘烤腔體進行熱處理，烘干所述晶圓上焊盤表面的水汽。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶圓經過濕法制程處理。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶圓電性檢測方法應用于晶圓封裝之前。